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刘松

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇TSV
  • 8篇互连
  • 7篇芯片
  • 7篇绝缘
  • 5篇芯片面积
  • 5篇硅
  • 4篇通孔
  • 4篇晶圆
  • 4篇绝缘工艺
  • 4篇刻蚀
  • 4篇互连结构
  • 4篇互连线
  • 4篇硅晶
  • 4篇硅晶圆
  • 4篇SOI衬底
  • 4篇衬底
  • 3篇子层
  • 2篇电流
  • 2篇电流电压
  • 2篇电流电压表

机构

  • 19篇中国航天科技...

作者

  • 19篇刘松
  • 19篇单光宝
  • 12篇孙有民
  • 7篇谢成民
  • 6篇李翔
  • 6篇张巍
  • 4篇袁海
  • 2篇杜欣荣
  • 2篇贺欣

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2013
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法
本发明一种基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法，所述处理器结构包括处理器本体，以及堆叠设置在处理器本体上的三维堆叠缓存；三维堆叠缓存包括译码器，多路选择器，灵敏放大器和三维存储模块；三维存储模块由若干个大小相同的缓存...
谢成民怡磊单光宝刘松
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基于SOI的TSV立体集成互连结构
本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的...
单光宝孙有民刘松蔚婷婷李翔
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基于SOI的TSV高频立体集成互连结构
本发明提供了一种基于SOI的TSV高频立体集成互连结构，内部圆柱形TSV通孔与外部环形TSV通孔同轴，且两者之间填充苯并环丁烯树脂绝缘胶；外部环形TSV通孔由外向内依次为二氧化硅绝缘层、阻挡层TaN、铜种子层和中空铜柱，...
刘松单光宝谢成民
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一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法
本发明公开了一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法，考虑热、力、电多物理域之间耦合对立体集成电路可靠性的影响，加入了热学、力学设计步骤，建立了热、力、电多物理域协同设计方法。该协同设计方法通过热、力、电设计步骤...
单光宝刘松谢成民孙有民
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大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法
本发明公开了一种大深宽比TSV通孔分步刻蚀和侧壁修饰方法，首先在P&lt;100&gt;型单晶硅晶圆表面用PE CVD方法淀积一层SiO<Sub>2</Sub>，并在SiO<Sub>2</Sub>表面涂光刻胶，曝光显影，...
单光宝刘松孙有民蔚婷婷李翔
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一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺
本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺，包括如下步骤，首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层；接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜，一次低速涂覆厚层光刻胶，二次高速涂覆薄层...
张巍单光宝袁海刘松
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基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
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基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
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基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI？TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
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一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法
本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其包括如下步骤，步骤1，确定单位存储芯片的数量；步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；步骤3，采用再分布互连线将单位...
谢成民怡磊单光宝刘松
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