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谢成民
作品数:
15
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供职机构:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
王忠芳
中国航天科技集团公司第九研究院...
吴龙胜
中国航天科技集团公司第九研究院...
刘佑宝
中国航天科技集团公司第九研究院...
单光宝
中国航天科技集团公司第九研究院...
刘松
中国航天科技集团公司第九研究院...
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一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元
本发明公开了一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元,包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管,A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上...
谢成民
王忠芳
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吴龙胜
刘佑宝
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一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元
本发明公开了一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元,将互锁反相器中上拉管和下拉管分割,即用两个串联的上拉管代替6管单元中的上拉管,用两个串联的下拉管代替下拉管,串联上拉管和串联下拉管的栅极连接在一起构成反相器。另一个反相器用...
谢成民
王忠芳
唐威
吴龙胜
刘佑宝
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基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法
本发明一种基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法,所述处理器结构包括处理器本体,以及堆叠设置在处理器本体上的三维堆叠缓存;三维堆叠缓存包括译码器,多路选择器,灵敏放大器和三维存储模块;三维存储模块由若干个大小相同的缓存...
谢成民
怡磊
单光宝
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一种静态存储单元及其应用方法
本发明公开了一种高可靠静态存储单元及其应用方法,包括第一上拉晶体管PU-1、第二上拉晶体管PU-2、第一下拉晶体管PD-1、第二下拉晶体管PD-2、第一读访问晶体管RPG-1、第二读访问晶体管RPG-2、第一写访问晶体管...
谢成民
王忠芳
王云鹏
吴龙胜
刘佑宝
文献传递
一种高可靠静态存储单元及其应用方法
本发明公开了一种高可靠静态存储单元及其应用方法,包括第一上拉晶体管PU-1、第二上拉晶体管PU-2、第一下拉晶体管PD-1、第二下拉晶体管PD-2、第一读访问晶体管RPG-1、第二读访问晶体管RPG-2、第一写访问晶体管...
谢成民
王忠芳
王云鹏
吴龙胜
刘佑宝
一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法
本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法,其包括如下步骤,步骤1,确定单位存储芯片的数量;步骤2,在单位存储芯片四周增加TSV孔区域,并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致;步骤3,采用再分布互连线将单位...
谢成民
怡磊
单光宝
刘松
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一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法
本发明公开了一种基于硅通孔的立体集成电路多物理域协同设计方法,考虑热、力、电多物理域之间耦合对立体集成电路可靠性的影响,加入了热学、力学设计步骤,建立了热、力、电多物理域协同设计方法。该协同设计方法通过热、力、电设计步骤...
单光宝
刘松
谢成民
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一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路
一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路,包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路及其输出控制端OEN、接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端...
王忠芳
谢成民
岳红菊
卢红利
吴龙胜
刘佑宝
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一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法
本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法,其包括如下步骤,步骤1,确定单位存储芯片的数量;步骤2,在单位存储芯片四周增加TSV孔区域,并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致;步骤3,采用再分布互连线将单位...
谢成民
怡磊
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一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元
本发明公开了一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元,将互锁反相器中上拉管和下拉管分割,即用两个串联的上拉管代替6管单元中的上拉管,用两个串联的下拉管代替下拉管,串联上拉管和串联下拉管的栅极连接在一起构成反相器。另一个反相器用...
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