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王忠芳

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 5篇ESD保护
  • 4篇单粒子
  • 4篇自我
  • 4篇芯片
  • 4篇芯片面积
  • 4篇晶体管
  • 4篇PD_SOI
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇单元库
  • 2篇电路图
  • 2篇电源电压
  • 2篇电阻
  • 2篇定制
  • 2篇定制设计
  • 2篇短接
  • 2篇信号隔离
  • 2篇噪声
  • 2篇栅结构
  • 2篇冗余

机构

  • 16篇中国航天科技...

作者

  • 16篇王忠芳
  • 12篇吴龙胜
  • 10篇刘佑宝
  • 8篇谢成民
  • 4篇李海松
  • 4篇王鹏
  • 4篇岳红菊
  • 4篇赵德益
  • 4篇卢红利
  • 4篇唐威
  • 2篇尹飞
  • 2篇蒋轶虎
  • 2篇杨博
  • 2篇谢成明
  • 2篇王云鹏
  • 2篇李如美
  • 2篇杨凌
  • 2篇高利军
  • 2篇周凤

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构
本发明公开了一种基于PD SOI工艺的体栅耦合NMOS ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI...
王忠芳谢成明李海松赵德益吴龙胜刘佑宝
文献传递
一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元
本发明公开了一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管，A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上...
谢成民王忠芳李如美吴龙胜刘佑宝
文献传递
一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路
一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路，包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路及其输出控制端OEN、接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端...
王忠芳谢成明岳红菊卢红利吴龙胜刘佑宝
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一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元
本发明公开了一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管，A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上...
谢成民王忠芳李如美吴龙胜刘佑宝
一种基于PD SOI工艺的体栅耦合ESD保护结构
本发明公开了一种基于PD SOI工艺的体栅耦合NMOS ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI...
王忠芳谢成民李海松赵德益吴龙胜刘佑宝
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一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路
一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路，包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路及其输出控制端OEN、接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端...
王忠芳谢成民岳红菊卢红利吴龙胜刘佑宝
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互补数据冗余结构型CMOS标准单元电路物理库模型设计方法
一种互补数据冗余结构型CMOS标准单元电路物理库模型设计方法，按照单元库设计流程，在完成PMOS网络和NMOS网络输入输出信号隔离的单元电路图和版图的设计后，应用辅助线和辅助层分别对电路图和版图PMOS网络和NMOS网络...
赵德益王鹏李海松王忠芳卢红利岳红菊吴龙胜
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一种基于PD SOI 的二极管辅助触发ESD 保护电路
本发明公开了一种基于PD SOI的二极管辅助触发ESD保护电路，在该结构中，栅极采用条形栅结构，漏区和源区采用漏深源浅非对称结构，在漏端一侧，除了进行深N+注入外，还在漏端边侧和中间进行P+注入，以形成P+N+二极管；在...
王忠芳刘存生蒋轶虎高利军杨博周凤
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互补数据冗余结构型CMOS标准单元电路物理库模型设计方法
一种互补数据冗余结构型CMOS标准单元电路物理库模型设计方法，按照单元库设计流程，在完成PMOS网络和NMOS网络输入输出信号隔离的单元电路图和版图的设计后，应用辅助线和辅助层分别对电路图和版图PMOS网络和NMOS网络...
赵德益王鹏李海松王忠芳卢红利岳红菊吴龙胜
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一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元
本发明公开了一种抗单粒子翻转加固的静态存储单元，将互锁反相器中上拉管和下拉管分割，即用两个串联的上拉管代替6管单元中的上拉管，用两个串联的下拉管代替下拉管，串联上拉管和串联下拉管的栅极连接在一起构成反相器。另一个反相器用...
谢成民王忠芳唐威吴龙胜刘佑宝
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