您的位置： 专家智库 > >

贺欣

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇TSV
  • 2篇电流
  • 2篇电流电压
  • 2篇电流电压表
  • 2篇电压
  • 2篇电压表
  • 2篇清洗方法
  • 2篇清洗液
  • 2篇去离子
  • 2篇去离子水
  • 2篇盲孔
  • 2篇晶圆
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇SOI衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇通孔
  • 1篇重掺杂
  • 1篇硅
  • 1篇测试点

机构

  • 4篇中国航天科技...

作者

  • 4篇李翔
  • 4篇孙有民
  • 4篇单光宝
  • 4篇贺欣
  • 2篇刘松
  • 2篇杜欣荣

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
文献传递
基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构
本发明提供了一种基于SOI衬底的TSV通孔绝缘层测试结构，在顶层硅正面和底层硅背面分别制作一号和二号欧姆接触测试点，每个欧姆接触测试点包括一个重掺杂有源区和一个铝金属压焊点，测试时，一号直流可变电压源串接一号电流电压表后...
单光宝刘松孙有民李翔贺欣
文献传递
一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法
本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出...
贺欣单光宝孙有民杜欣荣李翔
文献传递
一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法
本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出...
贺欣单光宝孙有民杜欣荣李翔
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0