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巩小亮

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇生长速率
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇高温
  • 1篇ALN
  • 1篇MOCVD

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇陈峰武
  • 1篇程文进
  • 1篇彭立波
  • 1篇魏唯
  • 1篇巩小亮

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高温MOCVD外延生长AlN材料研究被引量：1
2017年
采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明:生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和表面粗糙度的减小有着重要影响,而Al N的生长速率受到温度、反应室压力和载气比例的综合影响;经过工艺优化后的Al N外延材料(002)面和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别达到80 arcsec和775 arcsec,表明高温MOCVD生长技术可以实现量产化高质量AlN外延材料的制备。
程文进巩小亮陈峰武彭立波魏唯
关键词：ALN晶体质量生长速率
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