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陈峰武

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇均匀性
  • 1篇粘结
  • 1篇粘结强度
  • 1篇制备工艺及性...
  • 1篇生长速率
  • 1篇热导率
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇金刚石
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇基片
  • 1篇刚石
  • 1篇高温
  • 1篇ALN
  • 1篇CVD金刚石
  • 1篇CVD金刚石...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇粗糙度

机构

  • 2篇湖南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇陈峰武
  • 1篇周灵平
  • 1篇程文进
  • 1篇彭坤
  • 1篇李德意
  • 1篇李绍禄
  • 1篇彭立波
  • 1篇朱家俊
  • 1篇魏唯
  • 1篇巩小亮

传媒

  • 1篇机械工程材料
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于工业应用的CVD金刚石薄膜制备工艺及性能研究
CVD金刚石薄膜具有优异的物理和化学性质，在力学、声学、热学以及电子学等领域具有广泛的应用前景。本文采用自行设计的大功率热丝CVD系统在单晶硅片和硬质合金衬底上制备了金刚石薄膜，并对金刚石薄膜的均匀性、表面粗糙度、粘结性...
陈峰武
关键词：CVD金刚石薄膜均匀性表面粗糙度粘结强度热导率
文献传递
高温MOCVD外延生长AlN材料研究被引量：1
2017年
采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明:生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和表面粗糙度的减小有着重要影响,而Al N的生长速率受到温度、反应室压力和载气比例的综合影响;经过工艺优化后的Al N外延材料(002)面和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别达到80 arcsec和775 arcsec,表明高温MOCVD生长技术可以实现量产化高质量AlN外延材料的制备。
程文进巩小亮陈峰武彭立波魏唯
关键词：ALN晶体质量生长速率
热丝CVD法制备大面积金刚石薄膜基片的变形被引量：1
2011年
采用热丝CVD法制备的大面积金刚石薄膜存在基片变形严重的问题,通过对热丝CVD设备和沉积工艺进行改进,成功解决了直径76mm、厚度0.4mm硅片的变形问题。结果表明:改进后金刚石薄膜基片的翘曲度为0.296%,比改进前的降低了88.9%;改进后金刚石薄膜的质量及晶粒大小均匀,膜厚不均匀度仅为1.53%,具有优异的大面积均匀性。
陈峰武周灵平朱家俊李德意彭坤李绍禄
关键词：金刚石薄膜均匀性
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