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程文进

作品数：7 被引量：14H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇中间层
  • 2篇紫外固化
  • 2篇键合
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁场
  • 1篇扫描式
  • 1篇生长速率
  • 1篇太阳能无人机
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体传感器
  • 1篇最大功率
  • 1篇最大功率点跟...
  • 1篇微机电系统
  • 1篇温度
  • 1篇温度控制
  • 1篇无人机
  • 1篇脉宽

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇华中科技大学
  • 1篇中国航天员科...

作者

  • 7篇程文进
  • 2篇佘鹏程
  • 2篇彭立波
  • 2篇张建国
  • 1篇史铁林
  • 1篇廖广兰
  • 1篇汤自荣
  • 1篇陈峰武
  • 1篇毛朝斌
  • 1篇彭平
  • 1篇胡凡
  • 1篇杨成佳
  • 1篇景涛
  • 1篇林晓辉
  • 1篇董克冰
  • 1篇陈立宁
  • 1篇魏唯
  • 1篇陆运章
  • 1篇杨晓生
  • 1篇巩小亮

传媒

  • 4篇电子工业专用...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微处理机

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高温MOCVD外延生长AlN材料研究被引量：1
2017年
采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明:生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和表面粗糙度的减小有着重要影响,而Al N的生长速率受到温度、反应室压力和载气比例的综合影响;经过工艺优化后的Al N外延材料(002)面和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别达到80 arcsec和775 arcsec,表明高温MOCVD生长技术可以实现量产化高质量AlN外延材料的制备。
程文进巩小亮陈峰武彭立波魏唯
关键词：ALN晶体质量生长速率
硅/玻璃紫外固化中间层键合被引量：4
2008年
利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而实现了硅/玻璃的中间层键合.分析测试结果表明,紫外固化辅助的中间层键合可以成功应用于硅/玻璃键合,中间层厚5～6μm,键合强度达到26MPa.该工艺只需室温条件,简单高效,成本低廉,无需额外的压力或电场,对于硅/玻璃低温键合封装具有潜在的应用价值.
程文进汤自荣廖广兰史铁林林晓辉彭平
关键词：中间层紫外固化
气体传感器脉宽恒温控制电路设计被引量：2
2015年
针对薄膜气体传感器敏感芯体的气体温度特性,设计了一种实用的脉宽恒温控制电路。采用经典PID控制模式,自适应调节加热功率,满足高温高湿的环境要求。样机器件全部采用有失效率指标的高等级质量国产元件,可靠性完全可估。样机对启动电流、最高温度等最坏情况做了特别设计,同时为了有效降低失效率,对有效工作模式做了规定以适合高可靠性、低风险的航天应用要求。实验数据表明氢气传感器控温电路精度可达0.15℃,可满足传感器精度要求。
董克冰曹勇全张建国程文进景涛杨成佳
关键词：PID脉宽调制温度控制气体传感器
太阳能无人机能源控制器研究与设计被引量：4
2017年
对太阳能无人机能源控制器的设计进行了详细的阐述,对能源系统在地面情况下发电与带载运行情况进行了实验验证。该方案设计选用最大功率点跟踪(Maximum Power Point Tracking,MPPT)技术,实现了对太阳能无人机能源系统中光伏阵列、储能电池自动充放电管理功能。该方案设计电路简单、系统转换效率高、适应性强,可作为临近空间飞行器电源系统的理想选择之一。
陆运章郭进程文进周蒙张建国杨晓生张佳亮
关键词：太阳能无人机最大功率点跟踪
矩形磁控溅射靶电磁场分析及优化被引量：1
2017年
对矩形溅射靶电磁场进行了仿真分析,优化设计,从而优化溅射靶表面电磁场分布,增大均匀沉膜区域范围,提高靶材利用率。
佘鹏程陈立宁程文进龚俊陈长平
关键词：磁控溅射电磁场
扫描式磁控溅射设备及工艺研究被引量：2
2017年
介绍了一种扫描式双腔连续生产型磁控溅射镀膜设备,通过研究不同溅射压强、溅射功率密度下金属薄膜的沉积速率以及沉膜均匀性,实验结果表明在溅射压强0.3 Pa、溅射功率密度9 W/cm^2的条件下沉积TiW薄膜的沉膜速率约41.5 nm/min,均匀性低于4%;沉积Cu薄膜的沉膜速率约95.2 nm/min,均匀性低于3%,符合电子器件镀膜工艺需求。
范江华胡凡彭立波程文进佘鹏程毛朝斌
关键词：磁控溅射
Casimir力测量扭秤极板加工工艺研究
随着微机电系统/(MEMS/)技术的迅猛发展,MEMS器件尺寸及某些分离组件的间距已经进入了亚微米范围。当一些部件之间的距离小到一定程度,Casimir效应的影响已经不能忽略。Casimir效应指的是两个相互靠近的平行导...
程文进
关键词：微机电系统紫外固化
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