王慧勇
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：电子信息产业发展基金国家电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 基于以太网通讯模块的MOCVD设备控制系统设计被引量：2
- 2007年
- 根据MOCVD设备中控制量多、实时性强的要求,选用OMRON公司的10M以太网模块实现上位机与PLC之间的高速数据传输。介绍了以太网模块ETN21的安装与设置方法,给出基于UDP协议的以太网通讯程序。
- 胡晓宇杨友才何华云邹春艳王慧勇李学文
- 关键词：以太网MOCVDFINSPLC
- 基于现场总线的硅片自动装卸控制系统设计被引量：1
- 2012年
- 开发了一种基于现场总线的硅片自动装卸控制系统。系统采用PROFIBUS-DP总线和ASI总线相结合的控制方式,实现了PECVD石墨舟硅片的装卸过程自动化,提高了太阳能电池片生产线的生产效率和自动化水平,降低了劳动强度,提高了产品质量。
- 郭忠君魏唯何华云吕文利王慧勇
- 关键词：现场总线PROFIBUS-DPAS-I
- MOCVD工艺中源材料用量计算方法被引量：3
- 2007年
- 介绍了MO源和气态源实际用量的计算原理与方法,并在中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的MOCVD设备中应用;提出了提高MO源利用率、降低工艺成本的三项措施。
- 胡晓宇何华云王慧勇
- 关键词：MOCVDMO源利用率反应器
- 射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制被引量：1
- 2013年
- 介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
- 陈特超龙长林胡凡刘欣王慧勇
- 关键词：离子束溅射
- 高温离子注入靶盘设计
- 2010年
- 简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。
- 颜秀文贾京英刘咸成王慧勇
- 关键词：热分析
- UHVCVD SiGe外延设备真空腔室及自动传输系统设计
- 2013年
- 介绍了UHVCVD SiGe外延设备真空腔室及自动传输系统的具体设计,通过合理选取预备室和反应室的真空泵组,满足了设备的超高真空要求,自动传输系统则保证了反应室高洁净环境、提高外延生产效率。
- 王慧勇魏唯宁宗娥
- 关键词：超高真空
- MOCVD喷淋头的焊接工艺研究
- 2008年
- 喷淋头是MOCVD反应器中的关键部件,其设计和加工难度大。采用特殊的结构设计和合理工艺方法,配合加工工装和焊接夹具,选择合理的基准面和焊接参数,降低了加工难度。
- 胡晓宇彭志虹何华云王慧勇
- 关键词：MOCVD工艺方法焊接夹具
