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李学文

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文基金：国家电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD设...
  • 1篇等离子体
  • 1篇以太
  • 1篇以太网
  • 1篇生产型
  • 1篇通讯模块
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇自动控制
  • 1篇自动控制系统
  • 1篇控制系统
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇PLC
  • 1篇FINS
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN生长

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇怀化职业技术...

作者

  • 3篇李学文
  • 2篇杨基南
  • 1篇何华云
  • 1篇范迎新
  • 1篇宋玲
  • 1篇杨友才
  • 1篇刘亚红
  • 1篇任伟
  • 1篇胡晓宇
  • 1篇廖炼斌
  • 1篇王萍
  • 1篇廖佐昇
  • 1篇王慧勇
  • 1篇邹春艳

传媒

  • 3篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于以太网通讯模块的MOCVD设备控制系统设计被引量：2
2007年
根据MOCVD设备中控制量多、实时性强的要求,选用OMRON公司的10M以太网模块实现上位机与PLC之间的高速数据传输。介绍了以太网模块ETN21的安装与设置方法,给出基于UDP协议的以太网通讯程序。
胡晓宇杨友才何华云邹春艳王慧勇李学文
关键词：以太网MOCVDFINSPLC
液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制被引量：1
2003年
采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。
廖佐昇范迎新任伟王萍李学文杨基南
关键词：等离子体化学气相沉积
用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计被引量：2
2005年
MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。
宋玲李学文廖炼斌刘亚红杨基南
关键词：MOCVDGAN自动控制系统
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