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刘超

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇图形化
  • 2篇无源
  • 2篇无源器件
  • 2篇硅基
  • 1篇低损耗
  • 1篇电路
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模板
  • 1篇有源
  • 1篇有源器件
  • 1篇重离子
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成度
  • 1篇硅基集成电路
  • 1篇高能
  • 1篇高能重离子

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇唐海林
  • 2篇刘超
  • 2篇曾建平
  • 2篇邓小东
  • 2篇熊永忠

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法
本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的...
曾建平熊永忠唐海林刘超李一虎邓小东
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一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法
本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（...
曾建平熊永忠唐海林刘超李一虎邓小东
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