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高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究: “叉指式微加速度计”的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的“叉指式微加速度计”结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选...; 谭刚吴嘉丽唐海林; 关键词：微加速度计; 文献传递

基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构: 本发明公开了一种基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构。本发明包括金属腔体；所述金属腔体内设有一个以上的波导腔体，一片以上的过渡探针；所述过渡探针其中一端端部位于波导腔体内，所述过渡探针另一端设有需要封装的芯片...; 王瑞涛唐海林熊永忠

一种太赫兹横向肖特基二极管及其制作方法: 本发明公开了一种太赫兹横向肖特基二极管，包括半绝缘层、有源区N+层、有源区N-层、钝化层、欧姆接触区、肖特基接触区、阴极和阳极。其主要制作方法为：刻蚀有源区台阶后，依次离子注入Si形成有源区N+层和有源区N-层，退火后淀...; 唐海林李倩熊永忠杜亦佳陈樟; 文献传递

基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法: 本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的...; 曾建平熊永忠唐海林刘超李一虎邓小东; 文献传递

光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法: 本发明公开了一种光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法，解决现有技术工艺复杂、集成度低、工作频率受限的问题。其包括如下步骤：a.制作带通孔的芯片和不带通孔的芯片；b.在玻璃或硅等衬底上沉积金属层并图形化获得光路盖板；c...; 唐海林熊永忠; 文献传递

一种基于厚基板肖特基二极管CPW集成单平衡混频器: 本发明公开了一种基于厚基板肖特基二极管CPW集成单平衡混频器，包括输入输出GSG探针、射频本振匹配、两个独立的肖特基二极管、中频处高频短路扇形块以及中频LC电路，输入输出GSG探针、射频本振匹配、两个独立的肖特基二极管、...; 蒋均唐海林张健邓贤进成彬彬陆彬缪丽何月林长星; 文献传递

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 2018年; 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。; 曾建平安宁李志强李倩李倩唐海林唐海林; 关键词：T型栅最高振荡频率

批量微机械陀螺测试装置: 本发明提供了一种批量微机械陀螺测试装置，所述测试装置包括上下两层圆台、数根圆柱形支撑柱、圆柱空腔、电路板。上层圆台包括数根“F”形测试电路板固定条，下层圆台包括数根“F”形测试电路板固定条以及安装锚点。圆柱空腔包括上下两...; 刘显学官承秋唐海林周浩; 文献传递

基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构: 本发明公开了一种基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构。本发明包括金属腔体；所述金属腔体内设有一个以上的波导腔体，一片以上的过渡探针；所述过渡探针其中一端端部位于波导腔体内，所述过渡探针另一端设有需要封装的芯片...; 王瑞涛唐海林熊永忠; 文献传递

一种全集成冲击片点火器及其制备方法: 本发明公开了一种全集成冲击片点火器及其制备方法，属于火工品技术领域。它基于微电子机械系统(MEMS)加工技术，在桥箔、飞片、加速膛和反射片的加工过程中同时完成了装配，有利于提高器件的装配精度，而且具备集成电路并行加工的特...; 施志贵席仕伟杨黎明张茜梅刘娟唐海林; 文献传递

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唐海林