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谭小动

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇折叠
  • 1篇纳米
  • 1篇PL
  • 1篇GAN
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇LED
  • 1篇MOCVD
  • 1篇EL

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇谭小动
  • 1篇唐成春
  • 1篇张书明
  • 1篇郝秋艳
  • 1篇万尾甜
  • 1篇赵德刚
  • 1篇陈贵锋
  • 1篇刘宗顺
  • 1篇朱建军
  • 1篇沈俊

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性被引量：5
2011年
在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V.
陈贵锋谭小动万尾甜沈俊郝秋艳唐成春朱建军刘宗顺赵德刚张书明
关键词：光致发光电致发光
纳米折叠有源区宽谱LED工艺研究
虽然GaN基LED器件研究的不断深入和半导体照明产业蓬勃发展,LED发光效率的进一步提高仍旧是LED产业应用不可忽视的一个障碍。本文在Thomas Swan垂直腔金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统上对GaN基LED结...
谭小动
关键词：MOCVD
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