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蒲季春

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文基金:中国航空科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇低应力
  • 2篇多芯片
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶盒
  • 2篇应力
  • 2篇粘附
  • 2篇粘附力
  • 2篇施胶
  • 2篇探测器
  • 2篇微机电系统
  • 2篇芯片
  • 2篇均匀性
  • 2篇机电系统
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇INSB
  • 2篇电系统
  • 1篇氮氧化铝
  • 1篇氧化铝
  • 1篇陶瓷

机构

  • 4篇中国航空工业...
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 5篇蒲季春
  • 4篇耿东峰
  • 4篇徐淑丽
  • 3篇曹光明
  • 2篇苏宏毅
  • 2篇张向锋
  • 2篇王海珍
  • 1篇吴伟
  • 1篇吴伟
  • 1篇何英杰
  • 1篇杨雪锋
  • 1篇付浩
  • 1篇张国栋
  • 1篇李龙
  • 1篇齐建起
  • 1篇曹光明
  • 1篇李龙
  • 1篇张国栋
  • 1篇何英杰
  • 1篇杨雪锋

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇2007年红...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
应力制约的InSb焦平面探测器均匀性被引量:1
2007年
采用焦平面探测器均匀性作为衡量InSb芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果.
曹光明耿东峰徐淑丽蒲季春杨雪锋李龙何英杰吴伟张国栋付浩
关键词:INSB焦平面探测器应力均匀性
铝热还原氮化法一步烧结制备AlON陶瓷研究被引量:2
2015年
以微米Al粉和纳米γ-Al2O3为原料,采用铝热还原氮化法在流动N2中进行了AlON陶瓷的一步反应烧结制备.结果表明,合成纯相AlON的最佳Al含量为11wt%.在1650℃以下Al先和N2反应生成AlN,AlN再在1650℃以上与Al2O3通过固相反应生成AlON,并在1700℃制备了纯相的AlON,但此时块体中的AlON颗粒几乎没有出现烧结,在更高温度下才合并长大形成AlON陶瓷.煅烧温度较低时(≤1700℃),样品表面和内部的物相组成基本相同,但在高温下(≥1750℃)内部仍为纯相AlON而表层却被过度氮化出现AlN杂相.最后用热力学对该现象进行了分析.
蒲季春齐建起
关键词:氮氧化铝铝热还原热力学
叠层器件的低应力底部填充方法
本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法,包括以下步骤:(1)环氧胶的选取;(2)消除环氧胶混合时产生的气泡;(3)对叠层器件进行施胶;(4)环氧胶的固化,分两阶段:a)环氧胶的硬化成型阶段;b)环氧胶的强化固化阶段...
曹光明耿东峰蒲季春苏宏毅王海珍徐淑丽张向锋
文献传递
应力制约的InSb焦平面探测器均匀性
采用焦平面探测器均匀性作为衡量 InSb 芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb 焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果。
曹光明耿东峰徐淑丽蒲季春杨雪锋李龙何英杰吴伟张国栋付浩
关键词:INSB焦平面探测器应力均匀性
文献传递
叠层器件的低应力底部填充方法
本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法,包括以下步骤:(1)环氧胶的选取;(2)消除环氧胶混合时产生的气泡;(3)对叠层器件进行施胶;(4)环氧胶的固化,分两阶段:a)环氧胶的硬化成型阶段;b)环氧胶的强化固化阶段...
曹光明耿东峰蒲季春苏宏毅王海珍徐淑丽张向锋
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