徐淑丽
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 应力制约的InSb焦平面探测器均匀性
- 采用焦平面探测器均匀性作为衡量 InSb 芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb 焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果。
- 曹光明耿东峰徐淑丽蒲季春杨雪锋李龙何英杰吴伟张国栋付浩
- 关键词：INSB焦平面探测器应力均匀性
- 文献传递
- 应力制约的InSb焦平面探测器均匀性被引量：1
- 2007年
- 采用焦平面探测器均匀性作为衡量InSb芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果.
- 曹光明耿东峰徐淑丽蒲季春杨雪锋李龙何英杰吴伟张国栋付浩
- 关键词：INSB焦平面探测器应力均匀性
- 混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究被引量：3
- 2007年
- 针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验。结果表明,用湿法倒角技术不仅使InSb边缘没有尖锐的角,并且对器件的电性能没有影响,抛光后可得到高光洁的表面,最终得到性能良好的焦平面器件。
- 徐淑丽王海珍
- 关键词：INSB焦平面器件
- InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究被引量：6
- 2009年
- 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。
- 张国栋徐淑丽赵鸿燕朱炳金李小宏
- 关键词：INSB
- 叠层器件的低应力底部填充方法
- 本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法，包括以下步骤：(1)环氧胶的选取；(2)消除环氧胶混合时产生的气泡；(3)对叠层器件进行施胶；(4)环氧胶的固化，分两阶段：a)环氧胶的硬化成型阶段；b)环氧胶的强化固化阶段...
- 曹光明耿东峰蒲季春苏宏毅王海珍徐淑丽张向锋
- 文献传递
- 叠层器件的低应力底部填充方法
- 本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法，包括以下步骤：(1)环氧胶的选取；(2)消除环氧胶混合时产生的气泡；(3)对叠层器件进行施胶；(4)环氧胶的固化，分两阶段：a)环氧胶的硬化成型阶段；b)环氧胶的强化固化阶段...
- 曹光明耿东峰蒲季春苏宏毅王海珍徐淑丽张向锋
- InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究
- 2012年
- 随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。
- 徐淑丽张国栋
- 关键词：干法刻蚀INSB刻蚀速率
- 混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究
- 针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺, 并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验。结果表明,用湿法倒角技术不仅使 InSb 边缘没有尖锐的角,并且对器件的...
- 徐淑丽王海珍
- 关键词：INSB焦平面器件
- 文献传递
- 一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法
- 本发明公布了一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法，采用感应耦合等离子(ICP)设备，利用CH<Sub>4</Sub>/H<Sub>2</Sub>/Ar气体感应耦合电离产生的活性高密度等离子体，反应刻蚀ZnS材料...
- 张国栋朱炳金徐淑丽王海珍赵萍司俊杰
