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蒋浩杰

作品数：26 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇刻蚀
  • 5篇退火
  • 5篇半导体
  • 4篇掩模
  • 4篇碳化硅
  • 4篇掺杂
  • 3篇导体
  • 3篇界面态
  • 3篇半导体结构
  • 3篇半导体器件
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇电路
  • 2篇电子器件
  • 2篇选择性
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇中介
  • 2篇湿法腐蚀

机构

  • 26篇中国科学院微...

作者

  • 26篇蒋浩杰
  • 12篇李俊峰
  • 11篇赵玉印
  • 11篇刘新宇
  • 8篇杨谦
  • 8篇汤益丹
  • 8篇申华军
  • 8篇熊文娟
  • 8篇白云
  • 4篇王大海
  • 4篇钱鹤
  • 3篇魏珂
  • 3篇王鑫华
  • 3篇王文武
  • 3篇贺晓彬
  • 3篇黄森
  • 3篇罗军
  • 2篇侯瑞兵
  • 2篇杨荣
  • 2篇韩郑生

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第二届全国纳...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
厚铝的高精度干法刻蚀方法
一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应...
杨荣李俊峰柴淑敏赵玉印蒋浩杰钱鹤
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一种硅片甩干系统
一种硅片甩干系统，所述系统包括甩干桶、甩干桶内用于固定第一片架的甩干支架，其中所述第一片架用于盛放具有第一尺寸的硅片，所述甩干桶内设置有硅片固定装置，所述硅片固定装置与所述具有第一尺寸的硅片在置于第一片架中时裸露出来的边...
熊文娟王大海蒋浩杰
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带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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高性能42nm栅长CMOS器件
研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压V<,DD>为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱...
徐秋霞钱鹤韩郑生刘明侯瑞兵陈宝钦蒋浩杰赵玉印吴德馨
关键词：CMOS器件数字集成电路刻蚀技术
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一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种光学波导器件的形成方法
本发明提供一种光学波导器的形成方法，在衬底上形成二氧化硅下包层，在所述下包层上生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>芯层；生长所述芯层的方法采用多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二...
熊文娟李俊峰蒋浩杰李志华余金中王文武亨利·H·阿达姆松
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包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件
本申请提供了一种包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件。该制作方法包括：步骤S1，采用生长设备生长预氮化硅层，预氮化硅层的应力大于100MPa，生长设备具有自清洁功能；步骤S2，对预氮化硅层进行退火，形成氮化硅...
熊文娟李俊峰贺晓彬蒋浩杰胡彦鹏王桂磊杨涛亨利·H·阿达姆松王文武
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一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
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一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀...
刘新宇汤益丹许恒宇蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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