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赵玉印

作品数：30 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 18篇刻蚀
  • 7篇光刻
  • 6篇掩模
  • 6篇反应离子
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅栅
  • 5篇离子刻蚀
  • 5篇硅栅
  • 5篇反应离子刻蚀
  • 4篇碳化硅
  • 3篇淀积
  • 3篇氧化硅
  • 3篇离子注入
  • 3篇刻蚀技术
  • 3篇干法
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇高性能
  • 2篇等离子体
  • 2篇电路

机构

  • 30篇中国科学院微...
  • 2篇湘潭大学

作者

  • 30篇赵玉印
  • 13篇钱鹤
  • 12篇徐秋霞
  • 11篇蒋浩杰
  • 8篇杨谦
  • 8篇李俊峰
  • 8篇汤益丹
  • 8篇申华军
  • 8篇刘新宇
  • 8篇白云
  • 7篇韩郑生
  • 6篇刘明
  • 5篇柴淑敏
  • 4篇杨荣
  • 3篇侯瑞兵
  • 3篇陈宝钦
  • 3篇杜寰
  • 3篇杨涛
  • 2篇欧文
  • 2篇于雄飞

传媒

  • 4篇Journa...
  • 3篇第十二届全国...
  • 1篇第二届全国纳...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 7篇2005
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 2篇2002
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
Ta反应离子刻蚀特性的研究
人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtor...
赵玉印杜寰韩郑生
关键词：刻蚀等离子体刻蚀速率
文献传递
带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀...
刘新宇汤益丹许恒宇蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
高性能42nm栅长CMOS器件被引量：1
2003年
研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。
徐秋霞钱鹤韩郑生刘明侯瑞兵陈宝钦蒋浩杰赵玉印吴德馨
关键词：CMOS器件
70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法,本方法包括:步骤一:采用为氟化处理技术;步骤二:采用为70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真度的...
徐秋霞钱鹤于雄飞赵玉印
文献传递
一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法，其主要步骤如下：(1)在超薄栅介质上淀积多晶硅，然后淀积TEOS SiO<Sub>2</Sub>薄膜；(2)光刻栅图形；(3)胶的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反应离子腐蚀TE...
徐秋霞钱鹤刘明赵玉印
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高性能42nm栅长CMOS器件
研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压V<,DD>为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱...
徐秋霞钱鹤韩郑生刘明侯瑞兵陈宝钦蒋浩杰赵玉印吴德馨
关键词：CMOS器件数字集成电路刻蚀技术
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