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申强

作品数:27 被引量:5H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域:电子电信机械工程石油与天然气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 12篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇晶圆
  • 6篇手臂
  • 4篇陶瓷
  • 3篇圆片
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻机
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电磁阀
  • 2篇异丙醇
  • 2篇找平
  • 2篇真空发生器
  • 2篇阵列
  • 2篇蒸发
  • 2篇湿法
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振片
  • 2篇片架
  • 2篇腔体

机构

  • 27篇中国电子科技...

作者

  • 27篇申强
  • 5篇吴文涛
  • 2篇施国政
  • 2篇王振亚

传媒

  • 12篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2024
  • 6篇2023
  • 4篇2022
  • 9篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2002
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
NIKON NSR步进重复光刻机对准原理及典型故障修复被引量:1
2022年
论述了NIKON NSR步进重复光刻机对准系统工作原理,包括掩模版对准和圆片对准;列出了对准过程中遇到的常见故障,并提出了对应的解决方法,对设备运行过程中出现的对准方面的故障修复有一定的指导作用。
申强刘磊曹鑫李远林
低温冷凝泵的结构和维护被引量:3
2002年
分析了低温冷凝泵的工作原理和内部结构 。
申强
关键词:冷凝泵
低压化学气相沉积制备低应力氮化硅膜的研究
2023年
采用低压化学气相沉积方法,通过改变工艺气体配比,在硅衬底上生长低应力氮化硅薄膜。用应力仪、椭偏仪对生成的氮化硅薄膜的应力、生长速率、均匀性、折射率及腐蚀速率等进行实验。实验结果表明:低应力氮化硅薄膜制备的关键是增大DCS和NH3的配比,配比越大,生成的氮化硅薄膜应力越小,折射率越大,耐酸腐蚀能力越强,致密性越好;但随着配比增大,生成的氮化硅薄膜均匀性变差。选择合适的工艺气体配比可在硅衬底上制备出高质量的低应力氮化硅薄膜。
张泽东申强周健祖二健
关键词:低应力氮化硅折射率
一种阈值可调的近距阵列对射式红外传感器
本发明公开了一种阈值可调的阵列对射式红外传感器,包括:IC控制电路板、发射端固定板、红外发光二极管、A偏振片、B偏振片、B偏振片固定环、接收端固定板、光电二极管,所述的发射端固定板和接收端固定板连接在控制电路板上,固定板...
刘鼎铭王振亚申强
文献传递
一种阈值可调的近距阵列对射式红外传感器
本实用新型公开了一种阈值可调的近距阵列对射式红外传感器,包括:IC控制电路板、发射端固定板、红外发光二极管、A偏振片、B偏振片、B偏振片固定环、接收端固定板、光电二极管,所述的发射端固定板和接收端固定板连接在控制电路板上...
刘鼎铭王振亚申强
文献传递
离子注入过程中的颗粒污染来源及管控措施
2024年
离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素。通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注入过程中扫描次数、定向台定向、机械手传片、片库抽泄真空和靶台压盖升降对圆片表面颗粒的影响程度,为离子注入过程中的颗粒污染控制提供依据和建议。
申强刘鼎铭赵伟涵
关键词:离子注入
光刻机平边定位原理简析及找平边模块改造被引量:1
2020年
论述了NIKON i12D(type3)光刻机平边定位工作原理,并以NIKON i12D(type3)光刻机为基础,通过对找平边传感模块的硬件和电路改造,实现了对GaN晶圆平边的有效识别。测试结果表明,成功率高,稳定性好;减少了不必要的生产流程,提高了生产效率。
刘磊王发稳申强夏久龙
关键词:光刻机
喷雾腐蚀机在Ti/Al腐蚀工艺中的应用
2022年
介绍了喷雾腐蚀机的主要结构和设计优点,简述了SiC功率器件Ti/Al湿法腐蚀工艺;并就生产过程中出现的腐蚀液温度控制、液位传感器、图像识别对中等方面存在的不足做了相应改进。提高了工艺稳定性和生产效率。
徐俊孙运玺申强
关键词:碳化硅液位传感器
一种防止生成物因冷凝而沉积的控温装置及其控制方法
本发明公开一种防止生成物因冷凝而沉积的控温装置及其控制方法,控温装置包括厂务进水调压阀、进水手阀、电磁阀、第一水流量计、接触式测温计、比例电磁阀、第二水流量计、控制模块、回水手阀、温度设定模块和报警采集模块;在非生产状态...
张泽东周健乔路申强祖二健吴文涛
磁控溅射台镀膜形貌及均匀性改善研究
2021年
针对目标磁控溅射台通孔结构侧壁覆盖能力差、镀膜均匀性差(8%左右)的问题进行设备优化改造;通过结构优化,其在高深宽比结构上的镀膜能力显著提升;同时将各类金属镀膜的均匀性指标提升至3.5%左右,提高金属薄膜性能可靠性,满足了工艺上各种高深宽比加工工艺的要求。
解晗张春胜申强
关键词:溅射均匀性结构优化
共3页<123>
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