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超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系被引量：4: 1998年; 在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ２的势垒高度为３．１３ｅＶ．在较高温度下，因有效隧穿势垒随温度增加而线性地减少，使隧穿电流指数地增加，证实了Ｎ型Ｓｉ半导体费米能级随温度增加而下移的情形．Ｊ２是较高温度及低场下介质膜中热激活电子从一种孤立态到另一种孤立态的跳跃产生一种欧姆导电特性，并求得了电子热激活能Φ２约为０．１６３ｅＶ．; 冯文修陈蒲生黄世平; 关键词：二氧化硅电子隧穿温度关系

SiC埋层的制备及其红外吸收特性被引量：8: 1997年; 采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的测试和分析，表明ＳｉＣ埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于４００℃）得到含立方相结构的ＳｉＣ埋层．; 严辉陈光华黄世平郭伟民; 关键词：碳化硅晶体生长红外吸收埋层

可见、近红外椭偏光谱仪被引量：4: 1998年; 介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围０．５ｎｍ，近红外范围１．０ｎｍ；入射角６７．５度。经过实验检验了系统的重复性及准确度，证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测。; 杜泉郭文胜朱自强黄世平

快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究被引量：3: 1997年; 用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．; 冯文修陈蒲生黄世平; 关键词：二氧化硅热氮化氮分布

用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散: 1995年; 应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现；１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后，氮原子浓度降低，分布变得平缓、均匀。; 刘小阳陈蒲生王川黄世平; 关键词：热氮化氮原子二氧化硅

C^+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱被引量：2: 2000年; 用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较完整的单晶 Si,埋层β- Si C分成三层微结构 ,表层 Si与β- Si C埋层界面和β- Si C埋层与体硅界面亦不相同 .这些结果与 X射线光电子谱 ( XPS)和横截面透射电子显微镜 ( TEM); 阳生红李辉遒莫党陈第虎黄世平; 关键词：碳化硅椭偏光谱离子注入

金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量被引量：7: 1998年; 本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法，发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O-和）提高真空退火温度，吸附氧粒子的数量增加；同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时，吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变；在这种情况下，可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物，继续提高退火温度，达到400℃时，Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大，Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+→Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比，XPS的测量也发现，在400℃的退火温度下；SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系．; 严辉马黎君陈光华黄世平文华杰郭伟民; 关键词：高温退火 XPS 气敏器件

金属Sn薄膜的高温氧化与表面特征被引量：8: 1997年; 侧重研究了高温氧化（３００－５５０℃）引起金属Ｓｎ薄膜的表面显微形貌和表面氧化状态的变化．利用原子力显微镜（ＡＦＭ）的测量，观察到金属Ｓｎ薄膜表面的金属晶粒呈现近似方形的显微形貌，但是金属Ｓｎ氧化薄膜表面的金属氧化物颗粒却具有近似圆形的显微形貌，因此，金属晶粒的高温氧化是一个各向异性的过程．在Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测量的基础上，不仅发现在金属Ｓｎ薄膜和金属Ｓｎ氧化薄膜的表面都存在大量的吸附氧粒子。; 严辉马黎君陈光华黄世平文华杰郭伟明; 关键词：半导体二氧化锡高温氧化

C^+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱被引量：5: 1998年; 利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层中Ｃ原子的浓度分布，并且与ＳｉＣ埋层的有序度对应．; 严辉陈光华黄世平郭伟民; 关键词：埋层硅单晶

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征: 1995年; 采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ特性测试，研究了新型快速热氨化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征，侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现＂回转效应＂，且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱；指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱；给出这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布；还给出禁带中央界面态陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱＂Ｎ＂形分布变化。; 陈蒲生冯文修黄世平张荣耀; 关键词：介质膜 VLSI

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黄世平

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