陈光华
- 作品数：259 被引量：447H指数：11
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 富勒烯-聚甲基丙烯酸甲脂复合膜的结构研究
- i（100）的衬底上，制备出C<,60>-聚甲基丙烯酸四脂（PMMA）比例不同的复合膜。通过X射线衍射谱的测量，结果发现在PMMA中的C<,60>分子趋向子相互聚集并形成非晶或晶化的C<,6...
- 严辉邹云娟宋雪梅张兴旺王波陈光华马国斌
- 关键词：富勒烯
- 分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜被引量：1
- 2000年
- 采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
- 严辉谭利文宋雪梅王波陈光华姚振宇刘立明程业浩
- 关键词：SIC
- C_(60)-PMMA复合膜的红外光谱研究被引量：1
- 2005年
- 用溶胶-凝胶法制备了C60-PMMA复合膜,研究了该膜的红外吸收谱,发现复合膜的红外吸收光谱在C60特征峰(1182cm-1和1428cm-1)附近,相对PMMA有明显的"红移"宽化.理论上,采用Gaussian98计算方法,得到了C60分子和带有电荷的C60的红外振动频率.研究表明:复合膜的红外谱"红移"宽化是C60与PMMA之间的电荷转移导致C60红外特征峰红移引起的.
- 李英兰麻华丽杨保华王锋严辉陈光华
- 关键词：溶胶-凝胶复合膜红外光谱
- a-Si:H薄膜的MW ECR CVD沉积与FTIR分析
- 采用Si和石英玻璃为衬底,微波功率为300W.气体采用SiH<,4>和H<,2>,沉积时间为60分,工作气压为0.5pa制备了a-Si:H薄膜,并用FTIR1020傅立叶转换红外光谱仪对其进行了测...
- 宋道颖宋雪梅陈蔚忠冯贞健芦奇力鲍旭红陈光华
- 关键词：化学气相沉积红外光谱
- ECR-CVD法制备BN薄膜
- 2000年
- cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
- 张生俊崔贲涛王波严辉陈光华
- 关键词：电子回旋共振CBN
- c-BN薄膜的生长机制
- 2000年
- 立方氮化硼(c-BN)薄膜因其优异的机械、电学特性而有着广泛的应用前景.本文在大量的实验研究基础上,阐明衬底温度和荷能粒子轰击的重要作用,并综合分析了其他研究者的结果,较全面地论述了c-BN薄膜沉积过程中非晶层和h-BN层的形成以及c-BN相的形核长大机制.
- 王波宋雪梅严辉陈光华
- 关键词：立方氮化硼磁控溅射
- 工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响
- 2000年
- 本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜.
- 邓金祥谭利文王波严辉陈光华
- 关键词：立方氮化硼射频溅射工作气压
- 立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究被引量：2
- 2007年
- 从能量和结构两个角度分析了BN四种相的转变过程,以及杂质和缺陷对立方氮化硼(c-BN)薄膜制备的影响.研究了从六角氮化硼(h-BN)到c-BN转变的一个可能的过程,即h-BN→菱形氮化硼(r-BN)→c-BN过程.对纯的h-BN到r-BN的转变需要克服一个很高的能量势垒,在实验室条件下很难能够提供能量来越过这个势垒.而从r-BN到c-BN的转变只需要克服一个很低的能量势垒.这个能量势垒要低于从h-BN到纤锌矿氮化硼(w-BN)转变所需要克服的能量势垒.c-BN薄膜的制备过程中,薄膜在高能粒子轰击下,会产生大量的缺陷,这些缺陷对立方相的形成起到了重要的作用,缺陷和杂质的存在大大降低了从h-BN到r-BN转变的能量势垒.根据这个理论模型,在两步法制备c-BN薄膜的基础上,调整实验参数,形成三步法制备高质量c-BN薄膜.主要研究了三步法中第一步的时间和衬底负偏压对c-BN薄膜制备的影响,找到合适的沉积时间和衬底负偏压分别为5min和-180V.采用三步法制备薄膜,可以重复得到高立方相体积分数(立方相体积分数超过80%)的BN薄膜,并且实验重复性达到70%以上.
- 陈浩邓金祥刘钧锴周涛张岩陈光华
- 关键词：立方氮化硼
- 反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
- 1990年
- 本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。
- 王印月张仿清陈光华
- 关键词：反应溅射热缺陷
- 热丝对微波ECRCVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响
- 2005年
- 采用微波ECRCVD系统制备了aSi∶H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。aSi∶H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性。通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3nm/s。实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率。此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进。
- 李瀛陈光华朱秀红胡跃辉宋雪梅
- 关键词：氢化非晶硅氢含量
