您的位置: 专家智库 > >

邓金祥

作品数:142 被引量:126H指数:6
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 63篇期刊文章
  • 61篇会议论文
  • 16篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 73篇理学
  • 29篇一般工业技术
  • 26篇电子电信
  • 11篇文化科学
  • 6篇电气工程
  • 4篇机械工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 41篇氮化硼薄膜
  • 35篇溅射
  • 29篇立方氮化硼薄...
  • 21篇磁控
  • 19篇光谱
  • 19篇光学
  • 17篇氮化
  • 17篇氮化硼
  • 17篇红外
  • 17篇磁控溅射
  • 16篇带隙
  • 15篇立方氮化硼
  • 14篇射频磁控
  • 14篇射频溅射
  • 13篇退火
  • 10篇电池
  • 10篇射频磁控溅射
  • 10篇宽带隙
  • 10篇半导体
  • 9篇光谱研究

机构

  • 142篇北京工业大学
  • 14篇兰州大学
  • 2篇防灾科技学院
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇湛江师范学院
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇河北省地矿局...

作者

  • 142篇邓金祥
  • 40篇陈光华
  • 33篇崔敏
  • 22篇孔乐
  • 21篇陈亮
  • 17篇宋雪梅
  • 14篇陈浩
  • 13篇张晓康
  • 12篇刘国庆
  • 12篇王吉有
  • 12篇段苹
  • 10篇严辉
  • 10篇刘钧锴
  • 9篇姚倩
  • 9篇万欣
  • 9篇刘立英
  • 9篇张浩
  • 9篇朱秀红
  • 9篇杨萍
  • 8篇高学飞

传媒

  • 11篇真空
  • 7篇物理学报
  • 6篇真空科学与技...
  • 5篇Journa...
  • 4篇物理实验
  • 4篇功能材料
  • 3篇物理
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇大学物理实验
  • 3篇第十五届全国...
  • 3篇第五届中国功...
  • 3篇2013年全...
  • 3篇第五届中国功...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇光散射学报
  • 2篇2007年全...
  • 2篇第四届全国高...
  • 2篇全国薄膜技术...
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 11篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 8篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 11篇2013
  • 3篇2012
  • 9篇2011
  • 4篇2010
  • 9篇2009
  • 10篇2008
  • 7篇2007
  • 12篇2006
  • 3篇2005
  • 13篇2004
142 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
2002年
应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。
宋雪梅宋道颖陈蔚忠芦奇力冯贞健鲍旭红邓金祥陈光华
立方氮化硼薄膜表面的XPS研究
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS...
邓金祥陈浩陈光华刘钧锴宋雪梅朱秀红王波严辉
关键词:立方氮化硼薄膜X射线光电子能谱
文献传递
硅基锗异质薄膜的制备及其椭圆偏振光谱测试研究
利用射频磁控溅射法制备了硅基锗异质薄膜,并对薄膜进行退火研究.利用椭圆偏振光谱对不同射频溅射功率下硅基锗异质薄膜的折射率和消光系数进行了测试和研究.使用HORIBA MM-16型椭圆偏振光谱仪以70.0°入射角和430~...
崔敏吴高米孙天娇邓金祥陈亮高红丽孔乐
关键词:椭圆偏振光谱折射率消光系数
PASCO实验平台的运转模式探索及实践
PASCO物理实验平台是一个崭新的将计算机和数据采集应用于物理实验的系统,与传统实验系统相比,具有很多明显的优势.通过分析PASCO实验平台的实验特征,我们提出了基于PASCO物理实验平台的拓展训练模式和设计性应用思路,...
刘立英原安娟叶树中刘国庆邓金祥
关键词:拓展训练模式设计性实验
工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响被引量:2
2002年
用射频溅射法将立方氮化硼(C-BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为 0.67Pa时,得到了立方相体积分数为92%的立方氮化硼薄膜.
邓金祥陈光华严辉王波宋雪梅
关键词:立方氮化硼薄膜射频溅射工作气压
氮化硼薄膜的红外光谱研究被引量:2
2008年
用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。
邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭洋姚倩陈光华
关键词:氮化硼薄膜红外光谱
射频磁控溅射法制备氧化锌薄膜的研究
采用射频磁控溅射技术,利用Zn靶,在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)仪、傅立叶红外光谱仪、紫外-可见光分光光度计UV-3600对ZnO薄膜进行表征,分析氧气流量对氧化锌薄膜的影响.结果表明:氧气流量其对...
陈仁刚邓金祥崔敏孔乐陈亮苗一鸣庞天奇张紫佳
关键词:氧化锌薄膜射频磁控溅射法微观结构
文献传递
氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量:2
2014年
射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
关键词:A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
立方氮化硼薄膜的光学带隙被引量:4
2008年
用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38 eV.
邓金祥汪旭洋姚倩周涛张晓康
关键词:立方氮化硼薄膜光学带隙
基于Rubrene:MoO<Sub>3</Sub>混合薄膜的红外探测器
本发明涉及一种基于Rubrene:MoO<Sub>3</Sub>混合薄膜的红外探测器的制备。主要包括衬底的清洗、薄膜的制备、薄膜的测试、探测器的制备以及探测器性能的测试。首先依次在甲苯、丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗...
邓金祥李瑞东陈亮
文献传递
共15页<12345678910>
聚类工具0