- 改善AES/XPS深度剖析的一种方法:减小电子平均自由程对深度剖析的影响被引量：1
- 2001年
- AES XPS结合离子刻蚀得到的深度剖析曲线在薄膜分析中十分有用。但由于AES XPS信号来自表面 3～ 5个电子平均自由程内所有原子的贡献 ,因此如果薄膜很薄 ,那么测到的深度剖析曲线并不能反映实际的浓度随深度的变化。本文通过简单的数学运算 ,基本消除了由于电子平均自由程对深度剖析曲线的影响 。
- 季振国郭伟民
- GaAs(110)解理面的能带弯曲被引量：1
- 1999年
- 在真空中解理后，用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV，它们的禁带宽度理论值为1．42eV，这说明结果是合理的．根据实验结果，对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因，认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：动态过程XPS
- 金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量被引量：7
- 1998年
- 本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法，发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O-和）提高真空退火温度，吸附氧粒子的数量增加；同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时，吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变；在这种情况下，可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物，继续提高退火温度，达到400℃时，Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大，Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+→Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比，XPS的测量也发现，在400℃的退火温度下；SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系．
- 严辉马黎君陈光华黄世平文华杰郭伟民
- 关键词：高温退火XPS气敏器件
- SiC埋层的制备及其红外吸收特性被引量：8
- 1997年
- 采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的测试和分析，表明ＳｉＣ埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于４００℃）得到含立方相结构的ＳｉＣ埋层．
- 严辉陈光华黄世平郭伟民
- 关键词：碳化硅晶体生长红外吸收埋层
- 低能离子束原位研究系统的建立及其应用
- 1999年
- 介绍一套具有质量分辨能力的低能离子束原位研究系统及其性能。在该系统中 ,低能离子束能量可调范围为 5～ 2 0 0eV ,束流为 1～ 6 μA ;在 10 0eV的能量下 ,束流密度可达 10 0 μA/cm2 ;离子束能量降至 10eV时 ,束流密度为 10～ 2 0 μA/cm2 。能量分散为± 0 5eV。离子的质量和能量分别由四极质谱仪和筒镜能量分析器表征 ,离子束束流和束流密度分布用两个法拉第杯进行测量。WienFilter的质量分辨率为 4 0。系统上装有XPS ,UPS ,LEED等分析仪器 。
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：低能离子束费米能级磷化铟
- InP(110)解理面的能带弯曲被引量：2
- 1999年
- 用XPS测得了真空解理后InP样品（110）表面能带弯曲的动态过程，并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因，认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可能是导致能带弯曲的原因．
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：INP磷化铟半导体
- X光照引起的Cu2p_(3/2)光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移
- 2001年
- 用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。
- 季振国袁骏许倩斐汪茫阙端麟郭伟民
- 关键词：金属酞菁电荷转移光电子谱酞菁铜
- 真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究被引量：2
- 2002年
- 本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0～ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。
- 季振国朱玲汪茫阙端麟王家为郭伟民刘焕明
- 关键词：复合膜电荷转移光吸收谱
- 气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究被引量：2
- 1999年
- 利用X射线光电子谱和原子力显微镜研究经气相和溶液钝化的InP表面的化学健合、表面残余氧含量、表面刻蚀效应和粗糙度。结果表明 ,采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量 。
- 陈维德蔡永康苏景隆郭伟民
- 关键词：表面钝化XPSAFM气相磷化铟钝化
- C^+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱被引量：5
- 1998年
- 利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层中Ｃ原子的浓度分布，并且与ＳｉＣ埋层的有序度对应．
- 严辉陈光华黄世平郭伟民
- 关键词：埋层硅单晶
