陈蒲生
- 作品数：41 被引量：61H指数：5
- 供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金香港裘槎基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程自然科学总论更多>>
- 富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1
- 2001年
- 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .
- 陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿
- 关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数
- 低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究被引量：1
- 2004年
- 采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界面处元素含量变化激烈 ;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异 ;该薄膜是既含有类似 Si3N4 、又含有类似 Si O2 的非晶状态 ,呈现无序网络结构 ;随着含氮量或含氧量的增多 ,该膜分别向Si3N4 或 Si O2 成分较多的结构转化 ;优化制膜工艺形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能与结构方面得到提高。
- 陈蒲生陈闽捷张昊刘小阳王锋
- 关键词：介质膜俄歇电子能谱傅里叶红外光谱电学性能
- 快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究被引量：11
- 1990年
- 本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
- 陈蒲生杨光有刘百勇
- 关键词：SIO2膜热氮化电子陷阱电子注入
- 氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响
- 2004年
- 利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响。
- 陈平黄美浅李观启李斌陈蒲生
- 关键词：钛酸锶钡薄膜物理特性电学特性介电常数
- 快速热氮化的SiO_xN_Y膜界面特性的DLTS研究被引量：1
- 1993年
- 用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速热氮化SiO_xN_y膜的界面态密度随禁带中能量呈现“U”形分布,该种薄膜界面态俘获截面在禁带中的能量分布近似呈现指数规律,且禁带中央附近的界面态俘获截面比价带顶附近的俘获截面大得多,影响微电子器件电学特性的界面态主要仍是禁带中央附近的界面能态。结果还给出了DLTS技术与雪崩热电子注入法测试SiO_xN_y膜界面态密度能量分布的比较,得到两种不同方法的研究结果基本一致。文中并对实验结果进行了分析与讨论。
- 陈蒲生徐美根冯文修
- 关键词：深能级电子注入
- MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性被引量：1
- 1992年
- 本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO_2膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜的电荷特性。结果指出:快速热氮化后的再氧化工艺可有效地降低SiO_xN_y膜的体电子陷阱和界面陷阱密度;雪崩注入到一定程度后平带电压漂移出现“回转效应”,随后又前漂,弱呈现“N”形。本文就此提出了物理解释。结果还给出:界面电荷陷阱密度在禁带中分布随雪崩注入剂量(时间)的变化关系。文中还对实验结果进行了分析讨论。
- 陈蒲生杨劲
- 关键词：MIS结构电荷特性雪崩
- 用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性被引量：4
- 1997年
- 研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．
- 陈蒲生冯文修王川王锋刘小阳田万廷曾绍鸿
- 关键词：PECVD法半导体薄膜技术
- PECVD法制备SiO_xN_y膜中组份对电学特性的影响被引量：5
- 1995年
- 研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ（金属－绝缘层－半导体）结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性（界面态、固定电荷、平带电压漂移）的影响。
- 王川陈蒲生王锋
- 关键词：介质膜电学性质PECVD法氮氧化硅
- 用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散
- 1995年
- 应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现；１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后，氮原子浓度降低，分布变得平缓、均匀。
- 刘小阳陈蒲生王川黄世平
- 关键词：热氮化氮原子二氧化硅
- PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
- 2004年
- 采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系。揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析。给出了PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件。
- 陈蒲生陈闽捷张昊
- 关键词：PECVD
