田浦延
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 光电耦合器的结构设计及封装胶特性分析被引量：5
- 2005年
- 研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。
- 田浦延陈蒲生
- 关键词：光电耦合器电流传输比绝缘电压绝缘距离发光二极管
- 光电耦合器的结构设计及封装特点被引量：14
- 2002年
- 对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响关系,以及BV与封装尺寸的影响关系。
- 田浦延布良基陈蒲生冯文修
- 关键词：光电耦合器封装电流传输比绝缘距离发光二极管
- 电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释被引量：1
- 2001年
- 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加 。
- 冯文修陈蒲生田浦延刘剑
- 关键词：电子隧穿二氧化碳
- 光电耦合器的封装胶特性分析被引量：3
- 2002年
- 讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析 。
- 田浦延陈蒲生布良基冯文修
- 关键词：特性分析隔离电压二氧化硅氧化钛电流传输比光电耦合器
- 从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
- 2003年
- 用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 .
- 冯文修张恒陈蒲生田浦延
- 关键词：电流传输特性
- p型半导体霍尔系数极值新结论的理论与实验验证
- 2000年
- 用文献 [4 ]中的理论和实验结果论证了本文作者在 1987年首先采用新的方法求解 p型半导体在过渡温度范围的霍尔系数极值所得到的一系列新结论 .理论和实验验证结果的一致证明了新的霍尔系数极值是正确的 .作者提出了采用霍尔极值因数来表征不同半导体材料的霍尔特性及测量载流子迁移率之比值的新方法 .
- 冯文修刘剑陈蒲生田浦延
- 关键词：P型半导体
- 电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
- 2001年
- 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。
- 冯文修田浦延陈蒲生刘剑
- 关键词：电子隧穿电流传输特性
- 光电耦合器结构设计及芯片与工艺的研究
- 该文探讨了近红外发光二极管----光敏三极管型光电耦合器的设计,主要进行了光电耦合器结构方面的设计,芯片的选择设计以及器件的工艺设计三个方面的内容.同时对我们选用的材料与封装胶进行了相应的试验测试,并对试验结果进行了理论...
- 田浦延
- 关键词：光敏三极管树脂胶二氧化硅电流传输比绝缘电压
- 文献传递
