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梁锋

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:东南大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路模型
  • 1篇腔面
  • 1篇切比雪夫
  • 1篇切比雪夫滤波...
  • 1篇温度模型
  • 1篇温度效应
  • 1篇滤波
  • 1篇滤波器
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇宽带低噪声
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇发射激光器
  • 1篇放大器

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇梁锋
  • 2篇高建军
  • 1篇王永利
  • 1篇王倩
  • 1篇黄亚森
  • 1篇田学农

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计被引量:1
2008年
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2~3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2~2.7dB,增益为20~22.7dB,输入端反射系数为-17~-12dB。
王永利王倩黄亚森梁锋高建军
关键词:低噪声放大器切比雪夫滤波器
垂直腔面发射激光器的温度模型被引量:2
2007年
针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(V-I特性),通过引入温度控制的泄漏电流来模拟激光器的输出特性(L-I特性).模型的参数提取可以基于Tucker模型,并能方便地应用到HSPICE电路仿真软件中,通过对比可以发现,仿真结果和测试结果吻合得很好.
梁锋高建军田学农
关键词:VCSEL等效电路模型温度效应
共1页<1>
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