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高建军: 作品数：12 被引量：15H指数：2; 供职机构：东南大学信息科学与工程学院更多>>; 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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跨阻放大器S参数与跨阻增益间的关系被引量：6: 2006年; 在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系。并且利用ADS仿真工具对理论推导进行了仿真验证,最后通过实验测量单端输入单端输出跨阻放大器的S参数及数据分析,对理论进行了验证。; 孙玲王志功高建军; 关键词：光接收机前置放大器

155Mb/s光通信用CMOS自动增益控制跨阻前置放大器被引量：4: 2007年; 采用华润上华的0.6μm标准CMOS工艺设计了一种应用于光纤通信系统STM-1速率级别的自动增益控制(AGC)跨阻前置放大器.为了扩展输入动态范围,采用自动增益控制技术监控输入电流中与电流幅度成正比的直流分量的变化.当输入信号过大时,降低电路的跨阻增益,从而避免输出波形出现严重失真.通过分析电路中几个主要元件对等效输入噪声电流的贡献,给出了噪声性能优化的方法.测试结果表明,在5V电源电压下,小信号时电路差分跨阻增益达到91.7dBΩ(38.5kΩ),-3dB带宽125MHz,最大输入光功率0dBm,平均等效输入噪声电流谱密度为4.8pA/Hz^(1/2).功耗为180mW.芯片面积为0.7×0.4mm^2.; 韩鹏王志功孙玲李伟高建军; 关键词：自动增益控制前置放大器

垂直腔面发射激光器的温度模型被引量：2: 2007年; 针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(V-I特性),通过引入温度控制的泄漏电流来模拟激光器的输出特性(L-I特性).模型的参数提取可以基于Tucker模型,并能方便地应用到HSPICE电路仿真软件中,通过对比可以发现,仿真结果和测试结果吻合得很好.; 梁锋高建军田学农; 关键词：VCSEL 等效电路模型温度效应

Relationship Between Noise Figure and Equivalent Input Noise Current Spectral Density for Optical Receiver Design: 2006年; Based on the equivalent circuit model of a two-port optical receiver front-end,the relationship between the equivalent input noise current spectral density and the noise figure is analyzed. The derived relationship has universal validity for determining the equivalent input noise current spectral density for optical receiver designs, as verified by measuring a 155Mb/s high-impedance optical receiver front.end. Good agreement between calculated and simulated results has been achieved.; 孙玲王志功景为平高建军

40-Gbit/s SDH光纤通信系统前置放大器设计: 2007年; 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术.电路仿真表明,采用这些技术使两种前置放大器的跨阻带宽都达到了28GHz以上,满足了40Gbit/s SDH光纤通信系统带宽要求.通过比较两种不同输入结构前置放大器的增益、带宽、电路稳定性以及噪声特性,提出了双极型晶体管实现高速前置放大器的设计方案.; 孙玲王志功韩鹏高建军; 关键词：光纤通信前置放大器 BICMOS工艺

10Gb/s,0·2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计被引量：1: 2006年; 对基于0·2μmGaAsPHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0·5mm×0·4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.; 蔡水成王志功高建军朱恩; 关键词：PHEMT 噪声

噪声测试平台的软硬件实现: 2008年; 为了提高噪声测试仪器使用效率,缩短测试周期,给出了一种噪声测试硬件平台的具体搭建方式及其配套软件的编写过程。硬件平台包括Agilent346C,HP8970B,HP8971C,HP8341B,Agilent82357A及GPIB连接线等。软件平台用Microsoft Visual C++6.0编程实现,通过GPIB接口对测试仪器进行控制,执行仪器校准、测量数据、将数据读入计算机,并能够将测试结果以文本和图形化方式显示出来,实现自动化测试。该噪声测试平台能够测量的最高频率为20 GHz。; 韩鹏王志功高建军; 关键词：噪声测试 GPIB VISUAL C++自动化测试

在晶圆噪声系数测试中的去嵌入方法: 2007年; 针对在晶圆噪声系数测试系统存在的问题,提出了基于级联网络噪声系数关系的去嵌入方法。采用该方法有效地去除了测试结构的噪声特性对被测器件噪声系数的影响,提高了测量精度和可重复性。同时,这种方法也适用于其他需要去除测试结构影响的噪声系数测量系统。; 孙玲王志功高建军; 关键词：噪声系数去嵌入

基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计被引量：1: 2008年; 采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。; 王永利王倩黄亚森梁锋高建军; 关键词：低噪声放大器切比雪夫滤波器

射频MOSFET噪声模型研究: 2008年; 对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。; 黄亚森王倩袁成高建军; 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管噪声模型