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黄亚森

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声模型
  • 2篇放大器
  • 2篇放大器设计
  • 2篇场效应
  • 1篇电路
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇切比雪夫
  • 1篇切比雪夫滤波...
  • 1篇滤波
  • 1篇滤波器
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇宽带低噪声

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇黄亚森
  • 2篇王倩
  • 2篇高建军
  • 1篇王永利
  • 1篇梁锋
  • 1篇袁成

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计被引量：1
2008年
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。
王永利王倩黄亚森梁锋高建军
关键词：低噪声放大器切比雪夫滤波器
射频MOSFET噪声模型研究及CMOS工艺低噪声放大器设计
MOS场效应管自上世纪60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的优点，且截止频率不断提高，现在已被广泛应用于单片射频集成电路中。其小信号噪声等效电路模型表征了器件的高频噪声特性，利用该模型不仅可以指导电路设计者将电...
黄亚森
关键词：噪声模型CMOS工艺低噪声放大器MOS场效应管射频集成电路
文献传递
射频MOSFET噪声模型研究
2008年
对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。
黄亚森王倩袁成高建军
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管噪声模型
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