王永利
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：东南大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计被引量：1
- 2008年
- 采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。
- 王永利王倩黄亚森梁锋高建军
- 关键词：低噪声放大器切比雪夫滤波器
- 一种改进的用于SiGe HBT的焊盘模型参数提取技术被引量：1
- 2007年
- 提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。
- 王永利孙玲高建军
- 关键词：异质结双极晶体管锗硅焊盘
