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杨昆

作品数：9 被引量：16H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶型
  • 4篇4H-SIC
  • 3篇电阻率
  • 3篇碳化硅
  • 3篇晶体
  • 3篇半绝缘
  • 2篇单晶
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻测量
  • 2篇电阻率测量
  • 2篇电阻率值
  • 2篇升华
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨材料
  • 2篇输运
  • 2篇晶体生长
  • 1篇电学
  • 1篇英文
  • 1篇制备SIC
  • 1篇中碳

机构

  • 9篇山东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 9篇徐现刚
  • 9篇胡小波
  • 9篇杨昆
  • 8篇彭燕
  • 8篇陈秀芳
  • 8篇杨祥龙
  • 1篇赵志飞
  • 1篇黄万霞
  • 1篇宋生
  • 1篇袁清习
  • 1篇李赟

传媒

  • 5篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高质量N型SiC单晶生长及其器件应用被引量：3
2015年
采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶。在加工的"epi-ready"SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面。利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67%。另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平。
杨祥龙杨昆陈秀芳彭燕胡小波徐现刚李赟赵志飞
关键词：碳化硅肖特基二极管
一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法
本发明涉及一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法。该方法包括：将半绝缘4H-SiC样品采用电阻率测量设备进行电阻率测量，根据电阻率值与晶型的对应关系，鉴别晶型情况，并得到4H晶型与其他晶型的面积比。该方法简单可靠，将电阻测...
杨祥龙彭燕徐现刚胡小波杨昆陈秀芳崔潆心
文献传递
一种提高物理气相传输法生长4H-SiC晶体晶型稳定性的方法
本发明涉及一种提高物理气相传输法生长4H-SiC晶体晶型稳定性的方法。该方法包括：改变晶体生长体系结构或材质，促进粉料升华的气相组分与生长体系中石墨材料的反应，进而增加输运至生长界面组分的C/Si比，增加4H-SiC晶型...
徐现刚杨昆胡小波彭燕陈秀芳杨祥龙
一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法
本发明涉及一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法。该方法包括：将半绝缘4H-SiC样品采用电阻率测量设备进行电阻率测量，根据电阻率值与晶型的对应关系，鉴别晶型情况，并得到4H晶型与其他晶型的面积比。该方法简单可靠，将电阻测...
杨祥龙彭燕徐现刚胡小波杨昆陈秀芳崔潆心
文献传递
同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力被引量：3
2013年
提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。
宋生崔潆心杨昆徐现刚胡小波黄万霞袁清习
关键词：残余应力碳化硅
Ti掺杂6H-SiC电学性质研究被引量：5
2014年
使用物理气相传输方法（PVT）制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱（LTPL）和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征。结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010~1011Ω·cm。初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位VC是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因。
杨昆杨祥龙陈秀芳崔潆心彭燕胡小波徐现刚
关键词：6H-SIC电阻率
物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究(英文)被引量：3
2014年
使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶。在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒。在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布。通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源。并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法。
杨昆杨祥龙崔潆心彭燕陈秀芳胡小波徐现刚
关键词：4H-SIC
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长被引量：2
2014年
使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-Si C晶体。使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼光谱面扫描、非接触电阻率测试面扫描和高分辨XRD摇摆曲线对衬底的浅能级和两性深能级杂质的浓度、衬底晶型、衬底电阻率和衬底结晶质量进行了表征。结果表明,衬底全部面积电阻率大于4×109Ω·cm,钒浓度低于探测限,这表明浅能级杂质浓度已经低至可以被本征缺陷引入深能级完全补偿范围;拉曼光谱结果表明衬底4H-Si C晶型面积比例为100%;(004)衍射面高分辨X射线摇摆曲线半宽仅25秒,表明了衬底良好的结晶质量。使用上述高纯半绝缘衬底制备的高电子迁移率器件(HEMT)具备良好的电学性质。
杨昆陈秀芳杨祥龙彭燕胡小波徐现刚
关键词：碳化硅半绝缘
一种提高物理气相传输法生长4H‑SiC 晶体晶型稳定性的方法
本发明涉及一种提高物理气相传输法生长4H‑SiC晶体晶型稳定性的方法。该方法包括：改变晶体生长体系结构或材质，促进粉料升华的气相组分与生长体系中石墨材料的反应，进而增加输运至生长界面组分的C/Si比，增加4H‑SiC晶型...
徐现刚杨昆胡小波彭燕陈秀芳杨祥龙
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