您的位置： 专家智库 > >

彭燕

作品数：101 被引量：29H指数：3
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 81篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 15篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 8篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇天文地球
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 58篇单晶
  • 23篇碳化硅
  • 23篇SIC单晶
  • 22篇坩埚
  • 18篇籽晶
  • 18篇衬底
  • 15篇金刚石
  • 15篇刚石
  • 13篇晶体
  • 12篇半绝缘
  • 12篇4H-SIC
  • 11篇长腔
  • 10篇单晶生长
  • 10篇碳化硅单晶
  • 10篇硅单晶
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨坩埚
  • 8篇晶型
  • 8篇SIC
  • 7篇微管

机构

  • 101篇山东大学
  • 3篇国网山东省电...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇专用集成电路...
  • 1篇嘉兴学院
  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇国家电网有限...
  • 1篇济南金刚石科...

作者

  • 101篇彭燕
  • 98篇徐现刚
  • 81篇胡小波
  • 71篇陈秀芳
  • 41篇杨祥龙
  • 8篇高玉强
  • 8篇杨昆
  • 6篇宁丽娜
  • 5篇宋生
  • 4篇魏汝省
  • 3篇王兴龙
  • 3篇蒋民华
  • 3篇刘长江
  • 3篇张家鑫
  • 3篇王英民
  • 2篇孙逊
  • 2篇徐化勇
  • 2篇王翎
  • 2篇王丽焕
  • 2篇王帅

传媒

  • 13篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十届全国固...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 10篇2023
  • 16篇2022
  • 8篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 10篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 101 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法
本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提...
陈秀芳仲光磊谢雪健彭燕杨祥龙胡小波徐现刚
SiC单晶中典型的生长缺陷
告主要介绍SiC单晶中几种典型的生长缺陷如:微管、螺位错、基平面位错、基平面弯曲、层错等.利用同步辐射形貌术、原子力显微镜、激光显微镜对这些缺陷进行了观察和表征.根据SiC单晶的结构特点,讨论了这些缺陷的形成机理.在缺陷...
胡小波徐现刚高玉强陈秀芳彭燕宋生
不同N掺杂浓度SiC单晶生长
物理气相传输法,通过调节SiC生长过程中通入生长腔的N2流量(N2/(N2+Ar)-0～10％),改变晶体生长前沿的N分压,获得了不同掺N浓度的SiC单晶.采用二次离子质谱法对其N掺入量进行测试,得出了掺N浓度与生长气氛...
杨样龙徐现刚胡小波陈秀芳彭燕
关键词：碳化硅单晶生长氮分压
一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法
本发明涉及一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法，该方法采用双侧生长坩埚进行，所述的双侧生长坩埚包括坩埚体，坩埚体内设置有两个纵向间隔的多孔石墨片，多孔石墨片将坩埚体的内腔分割成左夹层、生长腔和右夹层，本发明的生长方法采...
谢雪健徐现刚彭燕陈秀芳杨祥龙胡小波
文献传递
高质量N型SiC单晶生长及其器件应用被引量：2
2015年
采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶。在加工的"epi-ready"SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面。利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67%。另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平。
杨祥龙杨昆陈秀芳彭燕胡小波徐现刚李赟赵志飞
关键词：碳化硅肖特基二极管
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
本发明涉及一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法，本发明利用微管密度&lt;1cm<Sup>‑2</Sup>、位错密度小等于于5000cm<Sup>‑2</Sup>的SiC区域覆盖微管和位错密度较高区域，...
彭燕陈秀芳杨祥龙徐现刚胡小波张用张磊
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感...
谢雪健胡国杰徐现刚彭燕胡小波陈秀芳王兴龙
文献传递
一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
本发明涉及一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法。该方法包括：采用升华法将碳化硅源料加热至升华，根据剩余碳化硅源料形状判断温场情况，确定出高温区与次高温区域；在高温区与次高温区放置盛有掺杂剂的石墨坩埚；再填满源料...
彭燕徐现刚胡小波陈秀芳
文献传递
一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法
本发明涉及一种高质量低电阻率p型SiC单晶的制备方法。该方法包括：在生长坩埚内提供SiC源材料和B掺杂剂、Al掺杂剂以及SiC籽晶；将Al掺杂剂盛于中心小坩埚内；将B掺杂剂分别盛于若干小坩埚内，对称放置于所述中心小坩埚两...
陈秀芳谢雪健彭燕徐现刚胡小波
4H-SiC热导率的测试与分析
本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T)，对比发现n型样品具羊高的热扩散系数。差热扫描量...
魏汝省彭燕陈秀芳胡小波徐现刚
关键词：半导体材料碳化硅热导率
全选 清除 导出
共11页<12345678910>
聚类工具0