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胡小波

作品数:240 被引量:291H指数:7
供职机构:山东大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 110篇专利
  • 108篇期刊文章
  • 19篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 101篇理学
  • 45篇电子电信
  • 13篇化学工程
  • 12篇一般工业技术
  • 2篇天文地球
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇核科学技术

主题

  • 102篇单晶
  • 69篇晶体
  • 46篇碳化硅
  • 42篇SIC单晶
  • 33篇坩埚
  • 25篇单晶生长
  • 25篇籽晶
  • 23篇衬底
  • 22篇碳化硅单晶
  • 22篇晶体生长
  • 22篇硅单晶
  • 18篇激光
  • 18篇SIC
  • 16篇6H-SIC
  • 14篇大直径
  • 14篇石墨
  • 14篇金刚石
  • 14篇刚石
  • 13篇微管
  • 11篇光谱

机构

  • 239篇山东大学
  • 9篇中国科学院
  • 4篇南京大学
  • 4篇山东浪潮华光...
  • 3篇山东华光光电...
  • 3篇山东天岳晶体...
  • 2篇青岛大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国工程物理...
  • 2篇中国科学院福...
  • 2篇专用集成电路...
  • 1篇嘉兴学院
  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇纽约州立大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇山东省产品质...
  • 1篇浙江省质量检...
  • 1篇国网山东省电...
  • 1篇济南金刚石科...

作者

  • 240篇胡小波
  • 193篇徐现刚
  • 125篇陈秀芳
  • 83篇彭燕
  • 60篇王继扬
  • 48篇杨祥龙
  • 48篇蒋民华
  • 25篇李娟
  • 19篇张怀金
  • 18篇姜守振
  • 17篇宁丽娜
  • 16篇李现祥
  • 14篇董捷
  • 14篇刘宏
  • 13篇王英民
  • 12篇刘耀岗
  • 12篇王丽
  • 12篇韩荣江
  • 11篇江怀东
  • 11篇魏景谦

传媒

  • 60篇人工晶体学报
  • 13篇功能材料
  • 6篇硅酸盐学报
  • 4篇无机材料学报
  • 4篇国际学术动态
  • 3篇中国激光
  • 2篇光电子.激光
  • 2篇Journa...
  • 2篇北京同步辐射...
  • 2篇第五届中国功...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学(B...
  • 1篇化学学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇广西科学
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 4篇2024
  • 10篇2023
  • 11篇2022
  • 9篇2021
  • 5篇2020
  • 7篇2019
  • 13篇2018
  • 10篇2017
  • 18篇2016
  • 24篇2015
  • 11篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 11篇2007
  • 14篇2006
  • 3篇2005
240 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
3英寸6H-SiC单晶的生长被引量:1
2007年
王英民宁丽娜陈秀芳彭燕高玉强胡小波徐现刚蒋民华
关键词:单晶生长宽带隙半导体材料蓝色发光二极管电学性质衬底材料
一种低应力高纯半绝缘SiC 单晶的制备方法
本发明涉及一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法。该方法包括:高纯SiC粉料的合成和采用物理气相传输法进行晶体生长,在合成料和晶体生长过程中同时降低浅能级杂质浓度,对保温材料进行高温预处理,避免硼杂质融入;硅粉和碳粉原...
陈秀芳徐现刚彭燕胡小波
基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究
2015年
[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm^2,基平面弯曲半径近似为1m。
胡小波
一种在SiC衬底上制备的发光二极管
本发明提供了一种在SiC衬底上制备的发光二极管,其结构自上而下依次包括p型AlInGaN层、发光层、n型AlInGaN层和衬底,在p型AlInGaN层设有正极,在n型AlInGaN层设有负极,衬底为透明的SiC单晶晶片,...
徐现刚宁丽娜李树强胡小波蒋民华
文献传递
低微管密度SiC单晶生长(邀请报告)
自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于3...
徐现刚高玉强宁丽娜彭燕陈秀芳胡小波蒋民华
关键词:碳化硅
文献传递
有色碳硅石宝石及其制备方法
本发明涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素,所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色...
徐现刚付芬胡小波魏汝省
文献传递
一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具
本实用新型涉及一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具,该夹具包括底板、第一定位板、第二定位板和螺栓固定板;第一定位板、第二定位板垂直设置在底板的两个相邻边上,第一定位板、第二定位板垂直设置;螺栓固定板设置在第一定位板和第二定...
陈秀芳徐现刚胡小波
文献传递
6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界被引量:6
2004年
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均匀 ,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的。从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在 2c到 10c之间。从晶片 0 0 0 12衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出 ,晶片的中间大部分区域质量很好 ,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄 ,一般为 35″左右。在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽 ,有些区域还会出现衍射峰的分裂 ,这说明外围区域有嵌镶块结构存在。
韩荣江王继扬胡小波徐现刚董捷李现祥蒋民华
关键词:6H-SIC微管晶界应力场剪切模量
用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步骤:(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉;(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中,将坩埚置于中频感应加热炉中,对生长室抽真空,将温度升高...
胡小波宁丽娜李娟王英民徐现刚
文献传递
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法,包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器,其中,所述坩埚置于石墨保温毡中,感应线圈位于石墨保温毡外侧,电阻加热器位于石墨保温毡内部,且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感...
谢雪健胡国杰徐现刚彭燕胡小波陈秀芳王兴龙
文献传递
共24页<12345678910>
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