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文献类型

  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电学隔离
  • 1篇探测器
  • 1篇注入法
  • 1篇微结构材料
  • 1篇离子轰击
  • 1篇化物
  • 1篇轰击
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇PIN探测器
  • 1篇MOCVD
  • 1篇成品率
  • 1篇INGAAS

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇李肖
  • 1篇任春江
  • 1篇张岚
  • 1篇沈浩赢
  • 1篇焦刚
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇朱顺才
  • 1篇黄子乾

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
InGaAs PIN探测器用MOCVD微结构材料
黄子乾李肖张岚朱顺才沈浩赢
该项目研究开发了INGaAs PIN探测器MOCVD外延片生长技术,在国内率先解决了高纯的INGaAs、InGaAsP及InP材料的生长技术;厚外延层材料生长技术;多片均匀性控制技术三项关键技术的研究。 材料的技术指标:...
关键词:
关键词:INGAASPIN探测器MOCVD微结构材料
利用硼离子注入法实现氮化物半导体器件的有源区之间隔离的方法
本发明针对现有的氮化物半导体器件所采用的台面电学隔离方法存在的因台面高度而影响互连线的连接及器件成品率的问题,发明一种利用硼离子注入法实现氮化物半导体器件有源区之间隔离的方法,步骤包括:在AlGaN/GaN异质结上形成源...
陈堂胜焦刚李肖任春江
文献传递
共1页<1>
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