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焦刚

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇铝镓氮
  • 3篇化物
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓器件
  • 2篇电感耦合
  • 2篇电感耦合等离...
  • 2篇势垒
  • 2篇驱动电流
  • 2篇微波频率
  • 2篇离子
  • 2篇氯基
  • 2篇接地引线
  • 2篇跨导
  • 2篇击穿电压
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电学
  • 1篇电学隔离
  • 1篇电学性质
  • 1篇信号

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇任春江
  • 6篇焦刚
  • 6篇陈堂胜
  • 5篇陈辰
  • 1篇董逊
  • 1篇李忠辉
  • 1篇李亮
  • 1篇李肖

传媒

  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
本发明提供了一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，它包括以下步骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料表面涂覆聚合物；(b)将涂有聚合物一面安装于压盘上；(c)将衬底11的表面12进行研磨并抛光减薄；(d)在衬底...
任春江陈堂胜焦刚陈辰
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铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
本发明针对现有的半导体器件存在的耐击穿电压高但跨导小或跨导大而耐击穿电压低的双重矛盾，公开了一种兼具二者优点的铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管，同时给出其制造方法，包括沟道层(3)、势垒层(4)，在势垒层(4)上设有...
陈堂胜焦刚任春江陈辰
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铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
本发明针对现有的半导体器件存在的耐击穿电压高但跨导小或跨导大而耐击穿电压低的双重矛盾，公开了一种兼具二者优点的铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管，同时给出其制造方法，包括沟道层(3)、势垒层(4)，在势垒层(4)上设有...
陈堂胜焦刚任春江陈辰
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形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
本发明提供了一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，它包括以下步骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料表面涂覆聚合物；(b)将涂有聚合物一面安装于压盘上；(c)将衬底11的表面12进行研磨并抛光减薄；(d)在衬底...
任春江陈堂胜焦刚陈辰
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利用硼离子注入法实现氮化物半导体器件的有源区之间隔离的方法
本发明针对现有的氮化物半导体器件所采用的台面电学隔离方法存在的因台面高度而影响互连线的连接及器件成品率的问题，发明一种利用硼离子注入法实现氮化物半导体器件有源区之间隔离的方法，步骤包括：在AlGaN/GaN异质结上形成源...
陈堂胜焦刚李肖任春江
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MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究
利用MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200...
董逊李忠辉李亮任春江焦刚陈辰陈堂胜
关键词：电学性质信号特性晶体质量
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