您的位置： 专家智库 > >

李亮

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学交通运输工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇氮化
  • 8篇氮化镓
  • 7篇氮化铝
  • 7篇位错
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体质量
  • 6篇衬底
  • 5篇材料性能
  • 5篇成核
  • 4篇氮化物
  • 4篇迁移率
  • 4篇位错坑
  • 4篇化物
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇电学
  • 3篇电学性质
  • 3篇生长温度
  • 3篇探测器
  • 3篇金属有机物
  • 2篇单晶

机构

  • 23篇中国电子科技...

作者

  • 23篇李亮
  • 14篇李忠辉
  • 14篇罗伟科
  • 9篇董逊
  • 8篇张东国
  • 8篇彭大青
  • 4篇倪金玉
  • 2篇章咏梅
  • 2篇许晓军
  • 2篇杨乾坤
  • 1篇任春江
  • 1篇焦刚
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇陈辰

传媒

  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2008
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种氮化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：在氮化物同质外延生长过程中，持续不间断地向反应室中通入Ⅴ族源气体，而周期性地调制通入反应室中Ⅲ族源气体流量的大小。本发明通过周期性的调制Ⅲ族源气流大小，增强Ⅲ族源原子的...
罗伟科李忠辉杨乾坤李亮
一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六...
罗伟科李亮李忠辉张东国彭大青董逊
文献传递
复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应...
彭大青李忠辉董逊李亮倪金玉张东国
文献传递
一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法
本发明公开一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、温度调制外延生长、再外延生长四个阶段。本发明方法通过原位温度调制技术，在氮化铝成核层生长后的外延生长过程中通过调制生...
李亮罗伟科李忠辉
文献传递
利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法
本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶...
李忠辉彭大青李亮董逊倪金玉张东国
一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法，所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟...
董逊许晓军章咏梅彭大青张东国李亮李忠辉
文献传递
一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用
本发明公开了一种多孔氮化铝复合衬底，并进一步提出了基于该多孔氮化铝复合衬底外延生长高质量氮化镓薄膜的方法。本发明方法包括氮化铝复合衬底制备、多孔氮化铝复合衬底制备和氮化镓外延生长三个阶段，其中氮化铝外延生长和氮化镓外延生...
罗伟科李亮
文献传递
一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法
本发明公开了一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法，包括：（1）将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统中；（2）通入氨气，对衬底进行氮化反应1～3min；（3）采用氢气作为载气，通入氨气和三甲基镓，生长氮化镓缓冲层；（4...
李亮罗伟科
文献传递
基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法
本发明公开了一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法，该方法是采用P型掺杂的铝镓氮材料作为阴极发射材料。由本方法所获得的基于铝镓氮材料的紫外光电阴极能够实现日盲探测，从而简化了紫外探测器的制备工艺，节约了制造...
李亮罗伟科
文献传递
一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法
本发明是一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底；通入氨气（NH<Sub>3</Sub>）对衬底进行氮化处...
李亮
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0