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文献类型

  • 25篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇氮化
  • 7篇位错
  • 6篇氮化铝
  • 6篇氮化镓
  • 6篇金属有机物
  • 5篇探测器
  • 5篇晶体
  • 5篇晶体质量
  • 5篇衬底
  • 4篇族源
  • 4篇位错坑
  • 4篇ALGAN
  • 4篇材料性能
  • 4篇掺杂
  • 4篇成核
  • 3篇氮化铝薄膜
  • 3篇氮化物
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇峭度
  • 3篇刻蚀

机构

  • 25篇中国电子科技...

作者

  • 25篇罗伟科
  • 18篇李忠辉
  • 14篇李亮
  • 4篇杨乾坤
  • 3篇彭大青
  • 2篇张东国
  • 2篇董逊
  • 2篇陈鑫龙

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法
本发明公开了一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法,该方法是采用P型掺杂的铝镓氮材料作为阴极发射材料。由本方法所获得的基于铝镓氮材料的紫外光电阴极能够实现日盲探测,从而简化了紫外探测器的制备工艺,节约了制造...
李亮罗伟科
文献传递
一种高阻GaN薄膜外延生长的方法
本发明是一种高阻GaN薄膜外延生长方法,是在MOCVD设备中进行的,包括衬底烘烤、成核、外延生长阶段,其特征在于:在外延生长阶段,采用金属有机物三甲基铟(TMIn)作为C杂质掺杂源。优点:实现了GaN薄膜的高阻性能。同时...
罗伟科杨乾坤李忠辉
一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法
本发明公开一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法,是在MOCVD设备中进行的,包括烘烤、成核、温度调制外延生长、再外延生长四个阶段。本发明方法通过原位温度调制技术,在氮化铝成核层生长后的外延生长过程中通过调制生...
李亮罗伟科李忠辉
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提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法
本发明涉及一种提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法,本发明是在MOCVD设备中进行的,在AlGaN量子阱和AlN量子垒周期性切换时中断生长,抑制界面组分渐变层的形成;同时在AlN生长过程中周期性的交替提供Ⅲ、...
罗伟科李忠辉
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一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法
本发明公开一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法。该方法包含下列步骤:(1)衬底烘烤;(2)成核层生长;(3)高阻缓冲层生长;(4)沟道层生长;(5)势垒层生长。在势垒层外延生长过程中,控制源气体流量的大小,脉冲式...
罗伟科李忠辉
基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法
本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法,包括如下步骤:1)准备材料;2)依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长;3)生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层;4)在AlGaN...
罗伟科李忠辉陈鑫龙
文献传递
一种氮化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:在氮化物同质外延生长过程中,持续不间断地向反应室中通入Ⅴ族源气体,而周期性地调制通入反应室中Ⅲ族源气体流量的大小。本发明通过周期性的调制Ⅲ族源气流大小,增强Ⅲ族源原子的...
罗伟科李忠辉杨乾坤李亮
一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法,包括如下步骤:1)选择一氮化镓衬底,转移入MOCVD系统中;2)在衬底上进行短时间快速刻蚀;3)在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀,在衬底表面形成六棱锥微结构;4)侧向生长合并六...
罗伟科李亮李忠辉张东国彭大青董逊
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基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法
本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法,包括如下步骤:1)准备材料;2)依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长;3)生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层;4)在AlGaN...
罗伟科李忠辉陈鑫龙
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基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法
本发明公开了一种基于铝镓氮材料的日盲型紫外光电阴极的外延生长方法,该方法是采用P型掺杂的铝镓氮材料作为阴极发射材料。由本方法所获得的基于铝镓氮材料的紫外光电阴极能够实现日盲探测,从而简化了紫外探测器的制备工艺,节约了制造...
李亮罗伟科
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共3页<123>
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