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杨乾坤

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 6篇氮化
  • 6篇金属有机物
  • 4篇氮化物
  • 4篇氮化镓
  • 4篇异质结
  • 4篇化物
  • 4篇成核
  • 3篇单晶
  • 3篇低应力
  • 3篇调制
  • 3篇金属有机物化...
  • 3篇晶格
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇低流量
  • 2篇异质结材料
  • 2篇势垒
  • 2篇平整度
  • 2篇气体流量
  • 2篇迁移率
  • 2篇族源

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇杨乾坤
  • 14篇李忠辉
  • 11篇彭大青
  • 9篇李传皓
  • 7篇张东国
  • 4篇罗伟科
  • 2篇李亮
  • 1篇吴维丽
  • 1篇高汉超
  • 1篇李赟
  • 1篇曹越

年份

  • 4篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高阻GaN薄膜外延生长的方法
本发明是一种高阻GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底烘烤、成核、外延生长阶段，其特征在于：在外延生长阶段，采用金属有机物三甲基铟（TMIn）作为C杂质掺杂源。优点：实现了GaN薄膜的高阻性能。同时...
罗伟科杨乾坤李忠辉
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InAlGaN插入层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积方法...
彭大青李忠辉李传皓杨乾坤陈韬
一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法
本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石衬底...
张东国李忠辉杨乾坤李传皓彭大青
一种低应力高质量氮化物材料外延方法
本发明提供一种低应力高质量氮化物材料外延生长方法，步骤包括S1.采用MOCVD设备，选择单晶衬底，清除衬底污染物；S2.通入金属有机源，生长成核层；S3.关闭金属有机源，通入三甲基镓，生长第一层GaN缓冲层；S4.原位刻...
杨乾坤李忠辉彭大青李传皓张东国徐轩
文献传递
一种氮化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：在氮化物同质外延生长过程中，持续不间断地向反应室中通入Ⅴ族源气体，而周期性地调制通入反应室中Ⅲ族源气体流量的大小。本发明通过周期性的调制Ⅲ族源气流大小，增强Ⅲ族源原子的...
罗伟科李忠辉杨乾坤李亮
一种SiC抛光片无损检测与统计的方法
本发明公开了一种SiC抛光片无损检测与统计的方法，首先清洗待检测抛光片、镂空固定抛光片，将载有抛光片的载片平台固定在光学显微镜下，以抛光片的边缘位置为基准调整光强调和聚焦度，对抛光片进行扫描、统计体缺陷和划分等级。该方法...
王克超姜海涛曹越杨乾坤彭大青
一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法
本申请公开了一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法，首先采用氨气脉冲与Al源流量调制的方法生长AlN，在反应腔通氨气时，通高流量三甲基铝，降低V/III比，改善氮化铝质量；反应腔不通氨气时，通低流量三甲基铝，...
杨乾坤彭大青李忠辉张东国李传皓
一种降低氮极性氮化镓外延材料氧杂质浓度的生长方法
一种降低氮极性氮化镓外延材料氧杂质浓度的生长方法，步骤如下：将单晶衬底放入反应室中；在单晶衬底上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长h‑BN隔离层；在h‑BN隔离层上生长Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y...
李传皓彭大青杨乾坤
一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法
本发明公开一种高线性AlGaN/GaN异质结的外延结构及外延方法，外延结构依序包括单晶衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN沟道层、第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层。此种技术方案利用金属有机...
李传皓李忠辉彭大青杨乾坤张东国
微波功率器件用氮化镓外延片规范
本规范规定了微波功率器件用氮化镓外延片(以下简称氮化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于微波功率器件用氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)外延片，也适用于微波单片集成电路用GaN HE...
主要 张东国吴维丽杨乾坤彭大青李忠辉高汉超李赟 王翼
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共2页<12>
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