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吴军

作品数:151 被引量:50H指数:4
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信环境科学与工程文化科学更多>>

文献类型

  • 94篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 9篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇电子电信
  • 16篇环境科学与工...
  • 16篇理学
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  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇农业科学
  • 1篇政治法律

主题

  • 25篇垃圾
  • 16篇生活垃圾
  • 13篇淀积
  • 13篇气相淀积
  • 13篇化学气相淀积
  • 9篇滤池
  • 9篇好氧
  • 8篇装箱
  • 8篇集装
  • 8篇集装箱
  • 7篇渗滤
  • 7篇渗滤液
  • 7篇生长温度
  • 7篇生物滤池
  • 7篇攻防
  • 7篇攻防能力
  • 6篇填埋
  • 6篇填埋场
  • 5篇水体
  • 5篇碳源

机构

  • 125篇南京大学
  • 54篇南京柯若环境...
  • 17篇安徽师范大学
  • 14篇南京工程学院
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇安徽省小球运...
  • 1篇上海环境卫生...

作者

  • 151篇吴军
  • 27篇郑有炓
  • 26篇张荣
  • 25篇韩平
  • 17篇谢自力
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  • 8篇施毅
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  • 7篇傅银鹰
  • 7篇梅琴

传媒

  • 7篇安徽师范大学...
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  • 3篇半导体技术
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇中国激光
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第十五届全国...
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  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
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  • 1篇高技术通讯
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇安徽体育科技
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇南京工程学院...
  • 1篇电脑知识与技...

年份

  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 11篇2022
  • 24篇2021
  • 10篇2020
  • 4篇2019
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  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 9篇2011
  • 2篇2010
  • 8篇2009
  • 12篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
151 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
存量垃圾封闭运输及异位好氧稳定的集装箱装备及其方法
本发明公开了一种存量垃圾封闭运输及异位好氧稳定的集装箱装备,包括集装箱箱体及设在其内壁的功能内衬,功能内衬上设有循环风低温蒸发系统、配水导排系统和供热保温系统;循环风低温蒸发系统包括进风总管、布气穿孔管、底板排水布气沟以...
吴军陈轶凡潘周志吕宜廉马海涛朱俊伟杨智力李平海薛王峰
文献传递
Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
2009年
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760~820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
葛瑞萍韩平吴军王荣华俞斐赵红俞慧强谢自力张荣郑有炓
关键词:化学气相淀积生长温度
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量:1
2009年
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
吴军王荣华韩平葛瑞萍梅琴俞斐赵红谢自力张荣郑有炓
关键词:化学气相淀积
极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声被引量:3
2000年
研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .
卜惠明施毅顾书林袁晓利吴军韩平张荣郑有炓
关键词:噪声NMOSFET
一种农居烟道气旋风-水幕两级净化小型设备及方法
本发明属于环境工程烟气处理技术领域,尤其涉及一种农居烟道气旋风‑水幕两级净化小型设备及方法。所述设备包括中空外筒体、水幕除尘单元、排渣单元、进气管道和出气管道,所述水幕除尘单元包括中空外筒体、嵌套在中空外筒体内部的中空内...
刘晓凯吴军吕宜廉
文献传递
一种循环可持续的生活垃圾填埋场的处理方法
本发明公开了一种循环可持续的生活垃圾填埋场的处理方法,属于城市生活垃圾处理与处置技术领域。它包括四个处理单元,分别为1#单元、2#单元、3#单元和4#单元;1#单元从底部到顶层依次为防渗衬层、碎石层、垃圾层和腐殖层;在1...
吴军李俊韩诚张艺王敏邵川张浩然刘佳诘
文献传递
AlN/Si(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究
SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和漂移速率等特点,一直备受人们的关注。目前,SiC材料的相关研究工作进展非常迅速,有关器件的研制也已取得大量重要的成果。采用Si衬底作异质外延有大尺寸和低成本...
吴军
关键词:碳化硅材料薄膜生长生长温度自掺杂
一种立式层叠好氧堆肥设备、系统及方法
本发明涉及易腐有机废弃物处理技术领域,具体涉及一种立式层叠好氧堆肥设备、系统及方法。本发明由上而下设置有反应室和出料斗,反应室上部设置有进料管和导流片,风力驱动导流片通过旋转产生的离心力将输入的物料均匀分布至反应室内;反...
吴军陈轶凡吕宜廉马海涛杨智力朱俊伟林馨肖信发薛王峰
文献传递
一种生活污水分散处理的方法及其反应器
本发明公开了一种生活污水分散处理的方法及其反应器,该方法的步骤:首先生活污水经化粪池去除绝大部分固体残渣,再进入调节池停留16-24小时,之后将污水提升至反应器,该反应器内设有多层惰性生物填料,各填料层之间用碎石分隔,气...
吴军杨智力吴运清吴颂阳
文献传递
NiO/CFO/PZT多铁异质结铁电极化对磁性调控的研究
电场对磁性的调控因其广泛的应用前景及丰富的物理内涵而日益引起人们的关注,并成为当前材料及物理领域的一大研究热点。本文中,我们报道了室温下铁电极化对饱和磁矩(Ms)及交换偏置场(Heb)的巨大调控,并对其机理进行了研究。
李永超潘丹峰吴军万建国
关键词:交换偏置
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