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郑晶晶

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：福州大学化学化工学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO纳米线...
  • 1篇电沉积
  • 1篇电化学
  • 1篇异相成核
  • 1篇扫描电化学显...
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法合成
  • 1篇热法
  • 1篇热法合成
  • 1篇刻蚀
  • 1篇SECM
  • 1篇ZNO
  • 1篇ITO

机构

  • 3篇福州大学
  • 1篇法兰克福大学

作者

  • 3篇郑晶晶
  • 3篇汤儆
  • 2篇田晓春
  • 2篇徐炜
  • 1篇庞文辉
  • 1篇林建航
  • 1篇杜琳
  • 1篇田小春
  • 1篇庄金亮

传媒

  • 1篇Chines...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征被引量：1
2011年
在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上,利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜.然后利用存储有HCI刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分别对ITO衬底上的ZnO薄膜的结构、形貌和电化学性质进行表征.
汤儆郑晶晶徐炜田晓春林建航
关键词：ZNO纳米线阵列电沉积扫描电化学显微镜
ZnO纳米线阵列的制备以及SECM表征
＜正＞氧化锌（Zn O）作为一种宽禁带（3.37 e V）半导体材料,近10年来已成为纳米材料领域的一个持续的研究热点。目前Zn O纳米阵列结构主要由液相法、气相法及电沉积等方法制备[1,2]。本文采用直接电沉积方法在氧...
郑晶晶徐炜田晓春汤儆
文献传递
水热法合成ZnO纳米棒图案及其场增强效应
2011年
利用水热合成方法在图案化的Au岛上合成了ZnO纳米棒图案，采用的溶液体系为人次甲基四胺和硝酸锌溶液，ZnO纳米棒的基底是ITO导电玻璃上的有序Au岛．由于ZnO的异相成核速度在Au和ITO基底上具有不同的成核速度，因此ZnO优先生长在成核速度快的Au岛上，同时由于受到了溶液中前驱物种扩散的限制，纳米棒继续生长也被受到了约束．通过调控六次甲基四胺和硝酸锌的浓度，可以调整不同的图案．此外，利用X射线衍射、光致发光谱和场发射特性性能对水热合成的ZnO纳米棒图案进行了研究．ZnO纳米棒表现出良好的场增强性质，并具有高增强因子。
汤儆杜琳庞文辉郑晶晶田小春庄金亮
关键词：异相成核
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共1页<1>
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