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徐炜

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：福州大学化学化工学院食品安全分析与检测技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO纳米线...
  • 1篇电沉积
  • 1篇电化学
  • 1篇扫描电化学显...
  • 1篇刻蚀
  • 1篇SECM
  • 1篇ZNO
  • 1篇ITO

机构

  • 2篇福州大学

作者

  • 2篇田晓春
  • 2篇郑晶晶
  • 2篇汤儆
  • 2篇徐炜
  • 1篇林建航

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
ZnO纳米线阵列的制备以及SECM表征
＜正＞氧化锌（Zn O）作为一种宽禁带（3.37 e V）半导体材料,近10年来已成为纳米材料领域的一个持续的研究热点。目前Zn O纳米阵列结构主要由液相法、气相法及电沉积等方法制备[1,2]。本文采用直接电沉积方法在氧...
郑晶晶徐炜田晓春汤儆
文献传递
ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征被引量：1
2011年
在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上,利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜.然后利用存储有HCI刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分别对ITO衬底上的ZnO薄膜的结构、形貌和电化学性质进行表征.
汤儆郑晶晶徐炜田晓春林建航
关键词：ZNO纳米线阵列电沉积扫描电化学显微镜
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