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汤儆

作品数:80 被引量:71H指数:5
供职机构:福州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
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领域

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主题

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  • 6篇拉曼光谱
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机构

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作者

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  • 3篇蒋利民

传媒

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年份

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  • 1篇2010
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  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
80 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征被引量:1
2014年
利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)分别对ITO表面上的AuPd合金和Au的形貌和组分进行表征,并通过循环伏安(CV)技术和扫描电化学显微镜(SECM)研究比较了Au和AuPd合金的催化活性.利用扫描电化学显微镜(SECM)的针尖产生-基底收集(TG-SC)模式和氧化还原竞争(RC)模式,发现Au电极对二茂铁甲醇氧化物(FcMeOH+)电催化还原能力高于AuPd合金电极,而在AuPd合金上催化还原H2O2的能力显著高于Au.
苏通裕肖孝建叶梦薇田晓春林建航汤儆
关键词:琼脂糖扫描电化学显微镜
不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工被引量:1
2009年
应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对GaAs进行电化学微加工.研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响.循环伏安实验表明,Br-可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂,L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂.CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面,模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时,刻蚀剂可以对GaAs进行加工.利用表面具有微凸半球阵列的导电模板,可以在不同类型GaAs上加工得到微孔阵列.实验结果表明:在相同刻蚀条件下,GaAs的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关,刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大;在加工过程中,p-GaAs相对于n-GaAs和无掺杂GaAs受到阳极氧化过程的影响较为显著,p-GaAs表面易生成氧化物层,影响电化学微加工过程.X射线光电子能谱(XPS)和极化曲线实验也证明了这一点.
汤儆王文华庄金亮崔晨
关键词:阳极溶解砷化镓约束刻蚀剂层技术
STM针尖诱导铜表面纳米刻蚀与沉积被引量:1
1999年
At cathodic potential of bulk copper deposition in dilute Cu 2+ solution, tip was found to be able to induce local dissolution of copper by applying a rather positive tip potential, although meanwhile the copper was still deposited on the surface far from the tip area. The more positive the tip potential or the electrode potential is, the faster induced dissolution rate is. At a rather negative tip potential, deposition of Cu was enhanced by the tip while in the case Cu was dissolved locally with a more positive tip potential. A mechanism based on overlap of double layers between tip and substrate was proposed.
谢兆雄毛秉伟汤儆
关键词:扫描隧道显微镜纳米刻蚀铜表面
福建省首届大学生化学实验邀请赛无机及分析化学实验试题解析被引量:3
2017年
介绍了福建省首届大学生化学实验邀请赛无机及分析化学实验的命题思路、试题原题及评分规则,并对实验中存在的问题及成绩进行了总结分析。
张玉荣魏巧华汤儆袁耀锋
关键词:无机及分析化学实验
微接触印刷技术在ITO基底上快速转移Au纳米粒子图案被引量:4
2013年
采用无氰化学镀金法在聚二甲基硅氧烷(PDMS)印章表面镀金,通过微接触印刷技术将PDMS印章上的Au纳米粒子(AuNPs)分别转移到氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃,修饰了(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷(MPTMS)的ITO基底(MPTMS/ITO)和表面电镀了铜膜的ITO(Cu/ITO)表面上,同时形成有序的结构或者图案.通过场发射扫描电镜(FE-SEM),原子力显微镜(AFM)和显微共聚焦激光拉曼光谱仪等对实验结果进行表征.结果表明,该转移AuNPs的方法对基底表面特性并无特殊要求,是一种简单、快速、无污染、低成本的AuNPs转移技术,而且转移了AuNPs的ITO基底具有表面增强拉曼光谱(SERS)活性,有望在SERS中有所应用.
汤儆庞文辉任禾陈巧兰宋子旺林建航
关键词:金纳米粒子聚二甲基硅氧烷表面增强拉曼光谱
Fe在离子液体中的STM针尖诱导表面构筑
基于Jump to Contact的STM针尖诱导表面构筑技术是目前溶液中分辨率最高的表面纳米构筑技术,可为研究纳米尺度粒子及其阵列的特性提供实验基础。但是析氢反应限制了该技术的应用。水溶液中成功的体系仅局限于Cu、Ag...
魏奕民王金刚周小顺傅永春汤儆毛秉伟
关键词:离子液体电化学沉积
文献传递
微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布被引量:4
2006年
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
汤儆马信洲何辉忠张力林密旋曲东升丁庆勇孙立宁
关键词:约束刻蚀剂层技术L-胱氨酸GAAS
一种金属氧化物/TiO<Sub>2</Sub>纳米催化剂及其制备方法
本发明公开了一种金属氧化物/TiO<Sub>2</Sub>纳米催化剂及其制备方法。该方法为以金属有机化合物为模板,然后经引入钛源、钛源水解、去除模板步骤,制得金属氧化物/TiO<Sub>2</Sub>纳米催化剂。所述的金...
汤儆江莉龙戚鑫鑫王曼清曹彦宁
文献传递
锡在金(111)上电沉积的ECSTM研究. I.欠电位沉积
汤儆颜佳伟吴剑鸣
关键词:欠电位沉积电沉积
一种多用热电偶微电极及其制作方法
一种多用热电偶微电极及其制作方法,包括两根由不同材料制成的第一金属丝和第二金属丝,所述第一金属丝和第二金属丝的一端部熔接成一微球节点以形成热电偶热端,所述第一金属丝、第二金属丝以及微球节点上包封有绝缘保护膜,以形成热电偶...
汤儆杜琳肖孝建吴挺吴海彬
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