田晓春
- 作品数：8 被引量：13H指数：2
- 供职机构：福州大学化学化工学院食品安全分析与检测教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征被引量：1
- 2014年
- 利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)分别对ITO表面上的AuPd合金和Au的形貌和组分进行表征,并通过循环伏安(CV)技术和扫描电化学显微镜(SECM)研究比较了Au和AuPd合金的催化活性.利用扫描电化学显微镜(SECM)的针尖产生-基底收集(TG-SC)模式和氧化还原竞争(RC)模式,发现Au电极对二茂铁甲醇氧化物(FcMeOH+)电催化还原能力高于AuPd合金电极,而在AuPd合金上催化还原H2O2的能力显著高于Au.
- 苏通裕肖孝建叶梦薇田晓春林建航汤儆
- 关键词：琼脂糖扫描电化学显微镜
- 在ITO表面电化学合成金属有机骨架化合物MOF-5和HKUST-1
- 金属有机骨架化合物(Metal-Organic Frameworks,MOFs)是由金属离子和有机桥联配体组成的一类表面积大、孔隙结构可调控的新型多孔材料,在气体存储、分离科学、工业催化、生物医药和化学传感器等方面已展开...
- 田晓春王曼清姜艳霞汤儆
- 在ITO电极上电沉积AuPd合金及其表征
- ＜正＞氧化铟锡（ITO）导电玻璃具有很高的光透过率和良好的导电性,已广泛的应用于一些光电材料;并且其具有较宽的电位窗口,较低的双电层充电电流和稳定的电化学及物理性质,可以当作电极应用于电化学实验。但是,ITO对一些电化学...
- 田晓春刘跃强林建航汤儆
- 文献传递
- ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征被引量：1
- 2011年
- 在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上,利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜.然后利用存储有HCI刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分别对ITO衬底上的ZnO薄膜的结构、形貌和电化学性质进行表征.
- 汤儆郑晶晶徐炜田晓春林建航
- 关键词：ZNO纳米线阵列电沉积扫描电化学显微镜
- ITO上电沉积Pd的成核机理及电催化性质被引量：2
- 2012年
- 采用循环伏安技术和计时电流技术,研究了ITO上电沉积Pd的过程,发现Pd在ITO表面的电沉积是过电位成核且为不可逆的扩散控制过程;根据Cottrell方程计算得到[PdCl4]2-的扩散系数为2.19×10-5cm2/s;根据Scharifker的理论模型,归一化处理电流-时间曲线,与理论成核曲线对照,判断Pd的成核机理.通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)对Pd的形貌进行分析,讨论了沉积电位和沉积时间对Pd纳米粒子形貌的影响.用X射线粉末衍射(XRD)对Pd纳米粒子进行结构分析,并在0.5 mol/L H2SO4溶液中研究了其电化学性质及在碱性条件下乙醇分子的电催化性质.
- 汤儆田晓春刘跃强林建航
- 关键词：氧化铟锡钯纳米粒子成核机理电催化
- ZnO纳米线阵列的制备以及SECM表征
- ＜正＞氧化锌（Zn O）作为一种宽禁带（3.37 e V）半导体材料,近10年来已成为纳米材料领域的一个持续的研究热点。目前Zn O纳米阵列结构主要由液相法、气相法及电沉积等方法制备[1,2]。本文采用直接电沉积方法在氧...
- 郑晶晶徐炜田晓春汤儆
- 文献传递
- ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理被引量：9
- 2011年
- 用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.
- 汤儆田晓春周富庆刘跃强林建航
- 关键词：金纳米粒子电沉积成核机理
- ITO表面直接电沉积Pd纳米粒子及其表征
- 田晓春刘跃强林建航汤儆
