李斌斌
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
- 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
- 张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
- 掺Ni的ZnO粉末的Raman光谱研究
- 2009年
- 利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究。在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式,此外还观察到两个额外模式。掺杂粉末中观察到ZnO的E_2(h)模式表明掺Ni的ZnO仍然保持六角对称结构。652 cm^(-1)额外模式的起源是掺杂引起的ZnO本底缺陷。为了查明544 cm^(-1)处额外模式的起源,分别对掺Ni,掺钴(Co),和掺锰(Mn)的ZnO粉末的Raman光谱进行了对比研究。结果表明544 cm^(-1)额外模式起源于Ni相关的局域振动模式。对光谱中的其他声子模式的起源也进行了讨论;同时还报告了利用325nm激光作激发源观察到掺Ni样品的多重纵光学(LO)声子模式的结果。
- 俞慧强李斌斌张荣修向前谢自力叶宇达张孟群陈强沈剑沧
- 关键词：散射掺杂拉曼光谱
- 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
- 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善...
- 张荣修向前汪峰于英仪谢自力俞慧强李斌斌顾书林沈波江若琏施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
- Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质研究
- 本文采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5％时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni...
- 修向前李斌斌张荣陈琳谢自力韩平施毅郑有炓
- 关键词：溶胶-凝胶法氧化锌稀磁半导体
- 文献传递
- ZnO基稀磁半导体材料的制备和研究
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料，室温下带隙为3.3 eV，激子束缚能为60 meV，因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。自从Dietl等人通过理论...
- 李斌斌
- 关键词：微观结构铁磁性
- Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质被引量：5
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS 粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5%时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的Ni团簇.而样品的宏观铁磁性主要来源于具有铁磁性的(Zn,Ni)O结构,居里温度约为650K.
- 修向前李斌斌张荣陈琳谢自力韩平施毅郑有炓
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO稀磁半导体
