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黄运衡

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇半导体
  • 2篇砷化镓
  • 2篇GAAS
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化镓
  • 1篇微电子
  • 1篇物理化学
  • 1篇物理化学特性
  • 1篇裂解
  • 1篇裂解炉
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇化物
  • 1篇合金
  • 1篇改装
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GAASSB

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇黄运衡
  • 5篇孙殿照
  • 4篇曾一平
  • 4篇朱世荣
  • 4篇孔梅影
  • 3篇李晓兵
  • 2篇李晋闽
  • 2篇林兰英
  • 2篇王晓亮
  • 1篇范缇文
  • 1篇王军喜
  • 1篇郑海群
  • 1篇胡国新
  • 1篇刘宏新
  • 1篇张剑平
  • 1篇刘成海

传媒

  • 2篇高技术通讯
  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
GaN材料的GSMBE生长被引量：1
1997年
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。
王晓亮孙殿照李晓兵黄运衡朱世荣曾一平李晋闽孔梅影林兰英
关键词：氮化镓分子束外延蓝宝石半导体
锗－硅合金材料的性质应用及国内外最近进展
黄运衡
关键词：合金半导体材料物理化学特性
分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究被引量：5
1994年
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．
阎春辉郑海群范缇文孔梅影曾一平黄运衡朱世荣孙殿照
关键词：分子束外延砷化镓GAASSB
高温微电子器件用GSMBE氮化物材料
孙殿照王晓亮王军喜胡国新刘宏新朱世荣张剑平李晓兵刘成海黄运衡曾一平李晋闽孔梅影林兰英
该项目为GSMBE技术，是MBE技术的一种，根据所使用的气体不同可 分为使用氨气的NH_3-MBE和使用氮气等离子体的RF-MBE。前者依靠热分解把氨分子分解成氮原子，而后者则利用射频电磁场将氮分子裂解成氮原子。该课题使...
关键词：
关键词：微电子GSMBE氮化物
MBE裂解炉的设计
1991年
裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。
黄运衡孙殿照孔梅影
关键词：分子束外延裂解炉改装
金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs
1992年
阎春辉孙殿照国红熙朱世荣黄运衡李晓兵曾一平孔梅影
关键词：分子束半导体砷化镓
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