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黄燕

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:长沙理工大学化学与生物工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇少子寿命
  • 2篇太阳电池
  • 1篇多晶硅太阳电...
  • 1篇氧化层
  • 1篇扩散
  • 1篇硅太阳电池
  • 1篇PHOTOV...
  • 1篇SNO2
  • 1篇GLASS
  • 1篇KOH
  • 1篇ALKALI
  • 1篇ETCHIN...

机构

  • 3篇长沙理工大学

作者

  • 3篇肖斌
  • 3篇周艺
  • 3篇黄燕
  • 2篇欧衍聪
  • 2篇郭长春
  • 1篇李荡
  • 1篇李宏
  • 1篇何文红

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇可再生能源
  • 1篇Transa...

年份

  • 3篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响
2012年
重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60~70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。
周艺肖斌黄燕金井升郭长春欧衍聪
关键词:扩散氧化层少子寿命太阳电池多晶硅
Effect of KOH treatment on structural and photovoltaic properties of ZnO nanorod arrays被引量:2
2012年
ZnO nanorod arrays (NRs) were synthesized on the fluorine-doped SnO2 transparent conductive glass (FTO) by a simple chemical bath deposition (CBD) method combined with alkali-etched method in potassium hydroxide (KOH) solution. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and current-voltage (I-V) curve were used to characterize the structure, morphologies and optoelectronic properties. The results demonstrated that ZnO NRs had wurtzite structures, the morphologies and photovoltaic properties of ZnO NRs were closely related to the concentration of KOH and etching time, well-aligned and uniformly distributed ZnO NRs were obtained after etching with 0.1 mol/L KOH for 1 h. ZnO NRs treated by KOH had been proved to have superior photovoltaic properties compared with high density ZnO NRs. When using ZnO NRs etched with 0.1 mol/L KOH for 1 h as the anode of solar cell, the conversion efficiency, short circuit current and open circuit voltage, compared with the unetched ZnO NRs, increased by 0.71%, 2.79 mA and 0.03 V, respectively.
周艺李荡黄燕何文红肖斌李宏
多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化
2012年
采用少子寿命测试仪对扩散前后的硅片少子寿命进行了分析,当扩散后的方块电阻控制在55~65Ω时,低温变温扩散工艺处理的硅片少子寿命最高达到12.18μs,低温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为10.67μs,高温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为8.20μs。低温变温扩散工艺处理的太阳电池分别比传统的低温恒温扩散工艺处理和高温恒温扩散工艺处理的太阳电池转换效率提高0.79%和0.42%。
周艺肖斌金井升黄燕郭长春欧衍聪
关键词:太阳电池少子寿命
共1页<1>
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