肖斌
- 作品数：21 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电气工程一般工业技术理学建筑科学更多>>
- 一种钛合金激光增材修复与表面渗氮复合处理工艺
- 本发明公开了一种钛合金激光增材修复与表面渗氮复合处理工艺。首先，对钛合金零件表面进行前处理，采用激光增材修复工艺参数如下：激光功率为1300‑1500W，扫描速度为13mm/s，光斑直径为3.5～4mm，送粉量为25‑3...
- 李聪肖斌谢盼陈荐邱玮李微何建军
- 文献传递
- 一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法
- 本发明公开了一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其整个过程采用的是高温恒温扩散工艺路线。步骤依次为：1）进行氧化：将硅片放入扩散炉中，温度控制在850℃~870℃并通入干氧和大氮，其中氧化时间为150s；2）...
- 周艺肖斌黄燕李华维何俊明郭长春欧衍聪
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- 多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响
- 2012年
- 重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。
- 周艺肖斌黄燕金井升郭长春欧衍聪
- 关键词：扩散氧化层少子寿命太阳电池多晶硅
- 一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法
- 本发明公开了一种不同于以往工艺的多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法，该方法能够解决硅片腐蚀坑的不均匀现象，进而解决了太阳能电池片在PECVD镀膜后存在的色差问题，优化了太阳电池片的外观。本发明采用了一种两次酸刻蚀织构制备...
- 周艺郭长春李荡黄岳文肖斌欧衍聪
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- 一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法
- 本发明属于晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明...
- 周艺欧衍聪黄岳文何文红郭长春肖斌黄燕李荡
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- 一种钛合金激光增材修复与表面渗氮复合处理工艺
- 本发明公开了一种钛合金激光增材修复与表面渗氮复合处理工艺。首先，对钛合金零件表面进行前处理，采用激光增材修复工艺参数如下：激光功率为1300‑1500W，扫描速度为13mm/s，光斑直径为3.5～4mm，送粉量为25‑3...
- 李聪肖斌谢盼陈荐邱玮李微何建军
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- 多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究被引量：2
- 2012年
- 采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
- 周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红黄岳文金井升
- 关键词：多晶硅太阳电池PECVD
- 偏高岭土-矿渣基地聚物与花岗岩骨料界面的分布特性及影响因素被引量：6
- 2017年
- 以碱激发偏高岭土-矿渣作为胶凝材料、花岗岩为骨料制备地聚物混凝土,通过扫描电镜SEM-EDS及显微硬度分析研究地聚物与骨料的界面粘结区的微观结构、分布,以及液固比和骨料尺寸对地聚物-骨料界面的影响。研究结果表明,在地聚物与骨料的界面区域存在界面过渡区(ITZ),包含了以N-A-S-H凝胶为主的固相和收缩裂缝,化学组分与地聚物凝胶有较大不同。界面过渡区沿骨料周围不同位置表现出明显的分布不均匀特性,骨料下缘处的界面过渡区的微观结构和硬度都显著更差。随着液固比及骨料半径的增大,其分布的不均匀性增加:骨料下界面ITZ中的裂缝宽度增大,N-A-S-H凝胶厚度减小且强度降低;但配比及骨料尺寸对骨料上界面及侧界面的ITZ影响并不显著。骨料下界面ITZ应是偏高岭土-矿渣基地聚物混凝土的薄弱区域。
- 崔潮肖斌张建仁蔡春声刘扬彭晖
- 关键词：地聚物界面过渡区偏高岭土矿渣
- 表面织构化对于多晶硅太阳电池性能的影响
- 2013年
- 表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析。结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的"蠕虫状"的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,Voc和Jsc分别为623 mV和34.55mA/cm2。该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
- 周艺何文红郭长春欧衍聪肖斌
- 关键词：多晶硅酸腐蚀太阳电池性能
- PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
- 周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红胡旭尧
- 关键词：减反膜工艺参数
