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何文红

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:长沙理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅太阳电...
  • 5篇硅太阳电池
  • 3篇减反膜
  • 2篇氮化硅
  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇导电
  • 1篇导电玻璃
  • 1篇等离子刻蚀
  • 1篇电池性能
  • 1篇电阻
  • 1篇镀膜

机构

  • 9篇长沙理工大学

作者

  • 9篇何文红
  • 8篇肖斌
  • 8篇周艺
  • 7篇欧衍聪
  • 7篇郭长春
  • 4篇李荡
  • 3篇黄燕
  • 3篇黄岳文
  • 1篇胡旭尧
  • 1篇黄燕
  • 1篇李宏

传媒

  • 1篇电源技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇Transa...

年份

  • 6篇2013
  • 3篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
表面织构化对于多晶硅太阳电池性能的影响
2013年
表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析。结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的"蠕虫状"的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,Voc和Jsc分别为623 mV和34.55mA/cm2。该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
周艺何文红郭长春欧衍聪肖斌
关键词:多晶硅酸腐蚀太阳电池性能
PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响被引量:5
2012年
采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红胡旭尧
关键词:减反膜工艺参数
KOH处理对ZnO纳米棒阵列结构及光电性能的影响(英文)被引量:2
2012年
采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法,在导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米棒阵列(ZnONRs)。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电流—电压(I—V)曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试,结果表明:ZnONRs呈纤铅矿型;ZnONRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关,经0.1mol/LKOH刻蚀1h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnONRs;KOH刻蚀后的ZnONRs与未刻蚀前高密度的ZnONRs相比,其光学性能得到提高。0.1mol/LKOH刻蚀1h的ZnONRs作为太阳能电池的光阳极,其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnONRs分别提高了0.71%、2.79mA和0.03V。
周艺李荡黄燕何文红肖斌李宏
关键词:结构性能光电性能
多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究被引量:2
2012年
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红黄岳文金井升
关键词:多晶硅太阳电池PECVD
一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法。传统的制备方法用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出的SiN<Sub>x</Sub>减反膜由于其相对较高的沉积速率导致了SiN...
周艺欧衍聪何文红黄岳文郭长春肖斌
文献传递
一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法
本发明属于晶硅太阳电池技术领域,具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明...
周艺欧衍聪黄岳文何文红郭长春肖斌黄燕李荡
文献传递
一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法
本发明属于半导体光电技术领域,具体涉及到一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法。该等离子刻蚀气体成分主要为O<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>和CF<Sub>4</Sub>组成,各组分流量比为O<...
周艺郭长春肖斌欧衍聪何文红李荡黄燕
文献传递
一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法
本文公开了一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法。其过程主要包括以下几个步骤:1)氧化;2)扩散;3)升温;4)深扩散;5)饱和;6)降温。本发明的方法特点是在扩散制结过程中加入一步升温过程,这样可以很有效的控制扩散...
周艺肖斌黄岳文何文红郭长春欧衍聪李荡黄燕
文献传递
多晶硅太阳电池表面减反射优化研究
太阳光照射到裸硅表面时,因反射造成光损失超过30%。经过清洗制绒进行表面织构化后,仍然高达20%左右。本文主要针对多晶硅表面织构化和PECVD镀膜两个工艺环节进行深入研究,在多晶硅表面织构化工艺环节,通过调整腐蚀溶液体系...
何文红
关键词:氮化硅薄膜多晶硅太阳电池
文献传递
共1页<1>
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