欧衍聪
- 作品数：13 被引量：8H指数：2
- 供职机构：长沙理工大学更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 表面织构化对于多晶硅太阳电池性能的影响
- 2013年
- 表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析。结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的"蠕虫状"的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,Voc和Jsc分别为623 mV和34.55mA/cm2。该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
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- 关键词：多晶硅酸腐蚀太阳电池性能
- PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
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- 关键词：减反膜工艺参数
- 一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
- 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法。传统的制备方法用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的SiN<Sub>x</Sub>减反膜由于其相对较高的沉积速率导致了SiN...
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- 文献传递
- 一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法
- 本发明公开了一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其整个过程采用的是高温恒温扩散工艺路线。步骤依次为：1）进行氧化：将硅片放入扩散炉中，温度控制在850℃~870℃并通入干氧和大氮，其中氧化时间为150s；2）...
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- 文献传递
- 一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法
- 本发明属于晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明...
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- 文献传递
- 一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法
- 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及到一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法。该等离子刻蚀气体成分主要为O<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>和CF<Sub>4</Sub>组成，各组分流量比为O<...
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- 文献传递
- PECVD制备多层氮化硅减反膜的工艺研究
- 由于氮化硅薄膜具有良好的化学稳定性、绝缘性及优良的光学特性,在半导体器件、微电子工业和太阳能电池等众多领域得到了广泛的应用。近年来,氮化硅薄膜作为晶硅太阳电池的钝化减反膜引起了越来越多的关注。在晶硅太阳电池的研究中,太阳...
- 欧衍聪
- 低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响被引量：1
- 2012年
- 采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
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- 关键词：多晶硅腐蚀速率温度
- 多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响
- 2012年
- 重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。
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- 关键词：扩散氧化层少子寿命太阳电池多晶硅
- 一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法
- 本发明公开了一种不同于以往工艺的多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法，该方法能够解决硅片腐蚀坑的不均匀现象，进而解决了太阳能电池片在PECVD镀膜后存在的色差问题，优化了太阳电池片的外观。本发明采用了一种两次酸刻蚀织构制备...
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- 文献传递
