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金智

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇位错
  • 3篇半导体
  • 2篇应力
  • 2篇失配位错
  • 2篇稳定性
  • 1篇动力学模型
  • 1篇多量子阱
  • 1篇新相
  • 1篇应变层
  • 1篇应变弛豫
  • 1篇应变多量子阱
  • 1篇三元合金
  • 1篇砷化镓
  • 1篇相互作用
  • 1篇相组成
  • 1篇力学模型
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇合金
  • 1篇变结构

机构

  • 7篇吉林大学

作者

  • 8篇金智
  • 6篇刘式墉
  • 5篇安海岩
  • 5篇杨树人
  • 4篇王本忠
  • 2篇马春生
  • 1篇李正庭
  • 1篇李明涛
  • 1篇孙洪波
  • 1篇王新强
  • 1篇赵方海
  • 1篇杜国同
  • 1篇杨树人

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体应变结构及其稳定性的研究
该文利用并发展了位错的动力学模型,从理论上研究了InGaAs/GaAs应变层中的应变驰豫过程.该文首次在剩余应力中引入与外延层中失配位错的转变类型有关的比例因子;利用并推广了前人的研究工作,在剩余应力中考虑了失配位错间的...
金智
关键词：半导体稳定性
文献传递
带有非应变盖层的应变外延层的稳定性
1999年
本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点，本文提出了一种混合扭结模型，即在盖层小于某值时，应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发，也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式，从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况，这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．
金智杨树人安海岩马春生王本忠刘式墉
关键词：稳定性
应变多量子阱激光器的结构稳定性
1999年
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。因此，用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明，净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关，非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上，利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。
金智杨树人安海岩刘式墉
关键词：应变多量子阱应变弛豫
InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析
2000年
本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。
金智李明涛王新强李正庭杨树人杜国同刘式墉
关键词：量子点砷化镓
3:22相的探索以及Nd-Fe-S新相研究
该文主要研究了Nd<,3>Fe<,22-x>Ga<,x> ,在Ga含量不同,以及不同的热处理条件下的相组成.在特殊的热处理条件下,且当X≥2时出现3:22相,在常规的热处理条件下以及X<2时为2:17相.另外该文对富铁区...
金智
关键词：相组成磁性
位错间的相互作用对应变外延层应变释放的影响
1998年
利用D-T模型考虑了界面位借间的相互作用,计算了外延层与材底为不同失配、不同厚度时,应变的释放。发现由于失配产生的位错,在外延层应变释放的初期,主要是靠产生60°位错来释放应变;而在产生较多的位错后,位错间的相互作用将导致外延展的应变释放过程缓慢,此时要考虑90°位错对应变释释放所造成的影响;并对已有的实验结果进行了一些解释。
金智杨树人安海岩王本忠赵方海刘式墉
关键词：失配位错
非应变盖层对应变结构中净应力的影响
1999年
分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .
金智杨树人马春生安海岩王本忠刘式墉
关键词：位错
非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布
1999年
利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式．研究表明，失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关．随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加，失配位错在上界面的数目增多。
金智杨树人王本忠孙洪波安海岩刘式墉
关键词：失配位错半导体
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