杨树人
- 作品数：67 被引量：182H指数：6
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- MOVPE生长GaN过渡层的AFM分析被引量：4
- 1998年
- 报道了原子力显微镜对MOVPE生长GaN材料过渡层表面结构的观察，重点分析了氯化、退火前后过渡层结构变化的原因及其对外延生长晶体质量的影响，探讨了不同条件下GaN成核模式的变化，对GaN材料的生长初期成核机理有了进一步的了解，通过优化生长条件，最终获得了X射线双晶衍射半峰宽为5arcmin，表面明亮的高质量GaN外延层。
- 赵佰军杨树人缪国庆朱景义元金山
- 关键词：过渡层氮化退火氮化镓
- 短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长被引量：1
- 1994年
- 本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。
- 安海岩杨树人秦福文王本忠刘式墉
- 关键词：激光器
- 第2届国际氮化物半导体会议概述
- 1998年
- GaN及其固溶体等氮化物是极为重要的宽禁带（1.9～6.2 eV）直接带隙半导体材料。有人称它们是继第一代半导体材料Ge,si,第二代半导体材料GaAs和InP等之后的第三代半导体材料,并预计它们将会像Si,GaAs和InP那样对人类社会的进步起巨大的推动作用。但过去,由于GaN熔点高、离解压高,它的体单晶制备非常困难,而外延生长的(GaN薄膜质量不高,P型掺杂也一直未能解决,这些问题阻碍了氮化物半导体研究的进程。80年代末,GaN的研究获得重大突破。利用MOVPE技术,在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上,采用两步外延生长法,提高了GaN外延层的质量。接着又解决了P型掺杂的问题,为GaN基材料的发展和器件的研制打下了基础。1994年GaN基高亮度蓝光发光二级管（LED）商品化,在半导体领域和相关的产业界引起极大的轰动。此后,在全世界迅速掀起氮化物半导体研究的热潮。
- 杨树人
- 关键词：氮化物半导体半导体材料锗硅
- InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究
- 2004年
- 为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 .1dB ;较大的电流范围内FWHM值为 4 0nm。
- 殷景志杜国同龙北红杨树人许武宣丽
- 关键词：半导体光放大器晶格匹配偏振灵敏度量子阱结构
- 氧化锌生长用低压金属有机化学汽相沉积设备及其工艺
- 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品...
- 杜国同杨树人王秋来胡礼中
- 文献传递
- InP基应变补偿多量子阱的研究进展被引量：1
- 2000年
- 介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP基应变补偿MQW的生长条件。
- 殷景志王新强杜国同杨树人
- 关键词：磷化铟
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
- 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...
- 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火宽禁带半导体材料
- 文献传递
- GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术被引量：26
- 1998年
- 给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。
- 徐茵顾彪秦福文从吉远杨树人
- 关键词：氮化镓MOCVD等离子体
- 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
- 2005年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。
- 张源涛崔勇国张宝林朱慧超李万成常遇春杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底PL谱异质结
- MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和...
- 张源涛朱慧超崔勇国刘大力杨树人杜国同
- 关键词：金属有机化学气相沉积半导体材料光学特性
- 文献传递
