刘宝林
- 作品数：73 被引量：95H指数：5
- 供职机构：厦门大学嘉庚学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 用于OEIC的InP MISFET的研制被引量：1
- 2000年
- 用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/SI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET。直流特性测量表明，跨导gm=80－115ms/mm，开启电压VT－3.62V，沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S，界面态密度NSS=9.56×1011cm－2。设计计算的特征频率fT97.1GHz，最高特征频率fmax64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。
- 陈朝傅仁武陈松岩刘宝林S.A.Malyshev
- 关键词：磷化铟光电集成
- 激光光源显示装置
- 本发明提出一种激光光源显示装置，其特征在于，包括：壳体、激光光源和填充物；所述壳体至少有一部分为显示面，显示面之外部分为不透光壳；所述不透光壳任一部分的内侧面为反光面或吸光面；所述不透光壳上设有使入射光能够进入壳体内部的...
- 刘宝林杨小芳周牡丹
- 文献传递
- LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
- 1995年
- 首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽为１．８ｎｍ。
- 刘宝林杨树人陈佰军刘式墉
- 关键词：半导体
- 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3
- 2004年
- 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。
- 陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯
- 关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火
- 多量子阱结构的MOVPE生长
- 1997年
- 利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
- 陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
- 关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
- MOCVD侧向外延生长GaN的研究被引量：1
- 2008年
- 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。
- 朱丽虹李晓莹刘宝林
- 关键词：氮化镓原子力显微镜扫描电子显微镜
- LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD被引量：1
- 1996年
- 本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。
- 刘宝林杨树人陈伯军王本忠安海岩秦福文刘式墉
- 关键词：MOCVD激光器INGAAS
- 生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 利用低压MOCVD系统,在蓝宝石衬底上外延生长了InGaN/GaN多量子阱蓝紫光LED结构材料。研究了生长温度对有源层InGaN/GaN多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,LED的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下PL谱发光峰的半高全宽从133 meV降到73 meV,表明了量子阱结晶性的提高。高温生长时,PL谱中还观察到了GaN的蓝带发光峰,说明量子阱对载流子的限制作用有所减弱。研究表明,通过改变生长温度可以对LED发光波长及有源层InGaN的晶体质量实现良好的控制。
- 朱丽虹刘宝林张保平
- 关键词：MOCVDINGAN/GAN多量子阱
- MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究被引量：1
- 1997年
- 首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
- 陈龙海刘宝林陈松岩陈朝黄美纯王本忠赵方海刘式墉
- 关键词：MOCVD化合物半导体
- GaN基发光二极管的电极优化
- ＜正＞由 AlN,GaN,InN 组成的Ⅲ-Ⅴ族氮化物及其合金的直接带隙可以从 InN 的0.7eV 到 AIN 的6.2eV 变化,因此由Ⅲ-Ⅴ族氮化物制备的各种器件的工作波长可以从红光一直延续到紫外波段,且Ⅲ-Ⅴ族氮...
- 毛明华尹以安刘宝林张保平
- 文献传递
