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王新强

作品数：22 被引量：116H指数：6
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 18篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 9篇ZNO薄膜
  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 4篇氧化锌薄膜
  • 3篇自组装量子点
  • 3篇MOCVD法
  • 3篇MOCVD法...
  • 2篇氧化锌
  • 2篇射线衍射
  • 2篇砷化铟
  • 2篇通信
  • 2篇退火
  • 2篇气敏
  • 2篇磷化铟
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇激光
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤通信

机构

  • 22篇吉林大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇美国西北大学

作者

  • 22篇王新强
  • 19篇杜国同
  • 11篇杨树人
  • 10篇王金忠
  • 8篇殷景志
  • 7篇姜秀英
  • 4篇张源涛
  • 4篇李正庭
  • 4篇高鼎三
  • 4篇刘大力
  • 3篇杨晓天
  • 3篇刘博阳
  • 3篇闫玮
  • 3篇马燕
  • 2篇吴家琨
  • 2篇杨洪军
  • 2篇孙良彦
  • 2篇刘式墉
  • 2篇杨天鹏
  • 2篇殷宗友

传媒

  • 3篇发光学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇光子学报
  • 2篇传感技术学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 6篇2002
  • 4篇2001
  • 7篇2000
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InAs／InP量子点的喇曼散射谱
2000年
对LP－MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较，发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的蓝移。考虑应变和限制效应的理论计算结果与实验吻合较好。加入GaAs薄张应变层的InAs量子点的LO模和TO模发生了更大程度的蓝移，同时无InP盖层的样品观察到应变的部分释放。
王新强李致峰等
关键词：量子点喇曼散射LP-MOCVD蓝移
MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构被引量：9
2004年
使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石 硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长 ,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失 ,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线 ,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时 ,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近 ,与其他衬底上生长的薄膜相比 ,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构 ,声表面波滤波器的中心频率将提高
赵佰军杨洪军王新强王新强刘大力杨晓天张源涛刘大力杨天鹏马艳
关键词：金属有机化学气相沉积X射线衍射扫描探针显微镜
等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究被引量：2
2001年
用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级、激光阈值降低近 30倍、X光衍射峰半高宽是 0 .2 9°、在 388nm附近的光致发光谱峰半高宽为 0 .32nm。
王金忠王新强王剑刚姜秀英杨树人杜国同高鼎三LIU XiangCAO HuiXU JunyingCHANG R P H
关键词：光致发光激光阈值氧化锌薄膜
等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：8
2002年
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．
王新强杨树人王金忠李献杰殷景志姜秀英杜国同杨如森高春晓Ong H.C.
关键词：等离子体增强MOCVD法ZNO薄膜原子力显微镜半导体薄膜
InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析
2000年
本文利用 L P- MOCVD系统在 In P(0 0 1)衬底上先生长约 2 nm的 Ga As张应变层 ,再依据 S- K生长模式生长 In As量子点层。用原子力显微镜 (AFM)对 In As量子点 (岛化 )进行了研究。研究发现当In As层的厚度为 2个单原子层 (ML)时 ,刚刚有 In As自组装量子点在表面形成 ;当 In As层的厚度为 4ML时 ,有大量的 In As自组装量子点在表面形成 ,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列 ,沿某一方向排列较多 ,而另一方向相对较少。
金智李明涛王新强李正庭杨树人杜国同刘式墉
关键词：量子点砷化镓
InP基应变补偿多量子阱的研究进展被引量：1
2000年
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP基应变补偿MQW的生长条件。
殷景志王新强杜国同杨树人
关键词：磷化铟
抑制行波光放大器光激射的新方法
2002年
提出一种采取倾角和张角相结合的器件结构抑制行波光放大器光激射的新方法 .实验结果表明 ,抑制效果显著 。
殷景志杜国同李宪龙张源涛王新强李正庭
关键词：倾角光纤通信增透膜反射率阈值电流
广谱性CO气敏元件的研制被引量：2
2002年
作者以γ Fe2 O3 为基料 ,通过Au2 O3 、PdO两种氧化物的复合掺杂 ,研制出了高灵敏度的CO广谱性气敏元件 。
王金忠吴家琨王新强孙良彦杜国同李康
关键词：Γ-FE2O3灵敏度
GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究
2000年
本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .
殷景志王新强杜国同杨树人
关键词：自组装量子点
InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究
2001年
用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 。
张冶金王新强陈维友刘彩霞汪爱军杨树人刘式墉
关键词：自组装量子点能级分布砷化铟磷化铟
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